摘要：提出了应用0.13μm SiGe bicmos工艺设计的全集成X和Ka波段T/R多功能芯片。包括5位数控移相器、低噪声放大器、功率放大器和收发控制开关都被集成在单片上。首次将分布式结构应用在多功能芯片的小信号放大器设计中,而且将堆叠式结构的功放集成在收发芯片中,此两款多功能芯片均有着带宽宽、增益高、输出功率大等优点。其中X波段收发芯片接收、发射增益分别达到25 d B、22 d B,发射输出P-1d B达到28 d Bm;Ka波段收发芯片接收、发射增益分别达到17 d B、14 d B,发射输出P-1 d B达到20.5 d Bm。此两款应用硅基工艺设计的多功能芯片指标均达到国际先进水平,为X和Ka波段相控阵系统的小型化和低成本化提供了良好的条件。

摘要：A 2GHz power amplifier realized in IBM 5PAe *** SiGe bicmos technology is reported. This amplifier was implemented in a two-stage single-ended structure. All components except choking inductors were integrated on-chip. Full-frequency stability was achieved using serial resistors between the bases of the transistors and matching inductors. The off-chip test proved the stability under all the supplied voltages. At Vc = 3.5V, VB = 6V, the small signal gain was 20.8dB, the input and output reflectance was less than - 17 and - 16dB, respectively, and the Pout.2dB was about 24dBm. At the out- put power of 25. ldBm,the PAE was about 21.5% ,and the second and third harmonics were less than - 45 and - 52dBc, respectively. This insures the linearity of the circuits.

摘要：采用0．6μmbicmos工艺，设计了一种应用于FITH（光纤到户）的限幅放大器。该限幅放大器采用PECL电平输出，动态范围宽，信号增益高，输入差分信号1．6～800mV，单端输出电压摆幅约800mV，具有阈值可编程的信号丢失检测功能和信道阻塞功能，适用于H1H级别的光接收机。

摘要：设计了一款应用于有源相控阵雷达T/R组件的X波段功率放大器,放大器采用单端两级放大的共源共栅结构,包括输入与输出匹配网络,偏置电路采用自适应线性化技术,实现高增益和高线性的输出。基于IBM 0.18μm Si Ge Bi CMOS 7WL工艺流片,测试结果表明,在3.3 V电源电压下,在8.5 GHz时增益为21.8 d B,1 d B压缩点输出功率为10.4 d Bm,输入输出匹配良好,芯片面积为1.4 mm×0.8 mm。芯片面积较小,实现了与整个T/R芯片的集成。

摘要：双RESURF技术的LDMOS具有高耐压、大电流、导通电阻低的特点,通过开发与bicmos工艺相兼容的相关工艺技术,可以使超高压开关电源电路BL8723得以成功设计,该产品的主要参数与国外同类产品相当。

摘要：提出一种应用于有源功率因数校正控制芯片的7．5V高精度线性电压调整器的设计。由于采用了多种改进措施，包括片上微调电阻网络的应用，该调整器具有良好的电压调整特性和很高的温度稳定性。此外，调整器还集成了过流保护功能。该电路采用1．5μm bicmos工艺设计实现，面积为0．42min×0．63mm。测试结果表明，在12V供电电压下，当负载电流在0～20mA范围内变化时，其负载调整率达23％／A。片上微调电阻的应用使其可获得很低的温度系数。

摘要：给出了一种基于bicmos OTA的高速采样/保持电路。设计采用0.35μm bicmos工艺,利用Cadence Spectre进行仿真。当输入信号为242.1875 MHz正弦波,采样速率为500 MSPS时,该采样/保持电路的SFDR达到59 dB,各项指标均能达到8位精度。在3.3 V电源电压下的功耗为26 mW。该采样/保持电路已应用到高速8位A/D转换器的研制中,取得了很好的效果。

摘要：在分析传统带隙基准结构的基础上,根据当前集成电路设计中对基准电源的低压、低功耗、高电源抑制比的要求,设计了一种结构比较新颖的基准电压源电路。该电路工作在电流模式,带有启动电路和电流补偿电路,静态电流约为10μA,具有较低的温度系数和较高的电源抑制比。

摘要：为了满足数字通信和信息处理系统多端输入/输出(I/O)、高速、低耗的性能要求,笔者设计了几例bicmos连线逻辑电路,并提出了采用0.5 ?m bicmos工艺,制备所设计的连线逻辑电路的技术要点和元器件参数.所做实验表明了设计的连线逻辑电路既具有双极型逻辑门电路快速、大电流驱动能力的特点,又具备CMOS逻辑门低压、低功耗的长处,而且其扇入数可达3~16,扇出数可达1~18,因而它们特别适用于多端I/O高速数字通信和信息处理系统中.

摘要：针对准第四代无线通信技术TD-LTE中2.570-2.620 GHz频段的应用,设计了一款基于IBM SiGe bicmos7WL工艺的射频功率放大器。该功率放大器工作于AB类,采用单端结构,由两级共发射极电路级联构成,带有基极镇流电阻,除两个谐振电感采用片外元件外,其他全部元件均片上集成,芯片面积为（1.004×0.736）mm2。测试结果表明,在3.3 V电源电压下,电路总消耗电流为109 mA,放大器的功率增益为16 dB,输出1 dB增益压缩点为15 dBm。该驱动放大器具有良好的输入匹配,工作稳定。