摘要：基于AMS 0.35μm SiGe bicmos工艺,设计了一种应用于3.1～10.6GHz频段的超宽带低噪声放大器;采用多个反馈环路,实现超宽带范围内的阻抗匹配以及低噪声性能;详细分析了匹配电路的特性。在片测试结果表明,在工作频带内,电路增益S21达到14dB,增益波动小于2dB;输入回波损耗S11小于-10dB;噪声系数NF小于3.5dB。电路采用3V供电,功耗为30mW。

摘要：分析了影响 Bi CMOS全摆幅输出和高速度的因素 ,探索了一种新的抑制 BJT过饱和的反馈网络 ,提出了具有高速全摆幅输出的 Bi CMOS逻辑单元。该单元可以工作于 1 .5V,并且易于实现多输入扩展 ,它特别适于 VLSI设计。模拟结果表明 ,该单元实现了优于 CMOS的全摆幅输出 ,且其速度高于同类 CMOS电路 1 0倍以上。

摘要：在常规ＢｉＣＭＯＳ技术基础上，该文充分考虑了低温下ＭＯＳ电流驱动能力增强、双极器件增益与频率性能退化、ＰＮ结正向导通电压增加和结电容减小等因素的影响，并由此建立起统一的低温ＢｉＣＭＯＳ数字电路延迟时间的非线性解析分析模型，所得到的有关结论对低温超高速ＢｉＣＭＯＳ电路的优化设计有现实的指导意义．

摘要：采用0.13μm SiGe bicmos工艺设计了一种应用于C波段相控阵雷达T/R组件的单片全集成射频功率放大器(RFPA).该放大器采用单级单端Cascode结构,工作于AB类,实现了包括偏置电路和匹配电路在内的片上全集成.芯片总面积为1.4mm×0.8mm(包括Pad).测试结果显示,在4~6GHz范围内,PA的小信号增益S21大于18dB,输入回波损耗S11小于-10dB.在5GHz中心频率下,PA的输出1dB压缩点为18.6dBm,功率附加效率为26%.最大输出功率为23.8dBm,最大功率附加效率为39.2%.设计的单级功放实现了较高的增益和效率.

摘要：采用0.18μm SiGe bicmos工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4GHz频段的Class AB射频功率放大器。该放大器采用两级放大结构,具有带温度补偿的线性化偏置电路。仿真结果显示:电路的输入匹配S11小于-13 dB,输出匹配S22小-于20 dB,功率增益达27.3 dB,输出1 dB压缩点为23 dBm,最大功率附加效率(PAE)为21.3%;实现了匹配电路、放大电路和偏置电路的片上全集成,芯片面积为1 148μm×1 140μm。

摘要：基于窄带低噪声放大器理论,设计了一种2.4 GHz,具有低功耗、低噪声和良好匹配性等优点的新型BiFET结构SiGe bicmos低噪声放大器。采用TSMC 0.35μm SiGe bicmos工艺库,利用SpectreRF软件的仿真结果显示,该电路具有2.27 dB低噪声系数,11.5 dB正向增益;2 V工作电压下,其功耗仅为6.1 mW。研究结果表明,该低噪声放大器在射频蓝牙系统中具有一定的应用前景。

摘要：设计了一种用于WCDMA发射机系统的1.95 GHz上变频混频器。电路采用传统的双平衡吉尔伯特结构,并引入电流注入和多双曲正切技术,实现了较高的转换增益和线性度。基于宏力0.18μm SiGe bicmos工艺,对电路进行仿真。结果显示,该双平衡有源混频器转换增益约为6 dB,1 dB输出线性度约为4 dBm,噪声在15 dB左右,表明该电路达到基本性能要求。

摘要：采用0.13μm SiGe bicmos工艺,设计了一种频带为90～100GHz的差分单刀双掷开关。首先对比分析了并联MOS管与串联MOS管,根据隔离度与损耗性能选择了并联结构。其次采用差分螺旋电感进行匹配,将双端口电感网络等效为变压器模型,显著抑制了共模信号。采用平面三维电磁仿真软件进行联合仿真。结果表明,在中心频点处,差模插入损耗为-4.1dB,共模插入损耗为-7.4dB,隔离度大于-22dB,输入反射系数S_(11)<-12dB,输出反射系数S_(22)<-10dB。芯片尺寸为570μm×140μm。

摘要：基于宏力半导体有限公司最新的0.18μm SiGe bicmos 1P6M工艺,提出了一种应用于2.4-2.5 GHz频段的功率放大器,采用两级共发射极结构,优化了电路结构和元件参数,并使用片上和片外电感电容进行匹配。仿真结果表明,电路在2.4~2.5 GHz频率范围内,增益（S21）达到21 dB,输入和输出匹配（S11,S22）分别达-到17 dB和-22 dB,1 dB输出压缩点为16.7 dBm。在电源电压为3.3 V时,电路总消耗电流为275 mA。

摘要：设计了一种基于bicmos工艺的高速采样/保持电路,该工艺提供了180 nm的CMOS和75 GHzf_T的SiGe HBT。差分交换式射极跟随器和低下垂输出缓冲器的结合,使电路具有更好的性能。在Cadence Spectre环境下进行仿真,当输入信号为968.75 MHz、V_(pp)为1 V的正弦波,采样速率为2 GSPS时,该采样/保持电路的SFDR达到62.2 dB,THD达到-59.5 dB,分辨率达到9位;在3.3 V电源电压下,电路功耗为20 mW。