摘要：为了提高运算放大器的驱动能力,依据现有CMOS集成电路生产线,介绍一款新型bicmos集成运算放大电路设计,探讨bicmos工艺的特点。在S-Edit中进行"bicmos运放设计"电路设计,并对其电路各个器件参数进行调整,包括MOS器件的宽长比和电容电阻的值。完成电路设计后,在T-spice中进行电路的瞬态仿真,插入CMOS,PNP和NPN的工艺库,对电路所需的电源电压和输入信号幅度和频率进行设定调整,最终在W-Edit输出波形图。在MCNC 0.5μm工艺平台上完成由MOS、双极型晶体管和电容构成的运算放大器版图设计。根据设计的版图,设计出bicmos相应的工艺流程,并提取各光刻工艺的掩模版。

摘要：本文给出一种适用于低电压、高开关频率升压型DC-DC转换器的bicmos驱动电路。 该驱动电路采用自举升压技术,它的工作电压最低可达1.5V,在负载电容为60pF条 件下,工作频率高达5MHZ。文章详细的介绍了此驱动电路设计思想,并且给出最终 设计电路。电路基于Samsung AHP615 bicmos工艺设计,经Hspice仿真验证达到设 计目标。

摘要：本文给出一种适用于低电压高开关频率升压型DC-DC转换器的bicmos驱动电路。该驱动电路采用自举升压技术,工作电压最低可达1.5V,在负载电容为60pF条件下,工作频率高达5MHz。文章详细的介绍了此驱动电路的设计思想,并且给出了最终设计电路。

摘要：针对DC-DC电源管理芯片中所必需的欠压锁存功能,利用带隙基准电压源的原理,提出一种新的改进的UV-LO(欠压锁存)电路的设计,实现了欠压锁存的阈值点和迟滞量,成功地实现了欠压锁存电路的预定功能。基于0.6μm BiC-MOS工艺,HSpice软件仿真的结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单、温度漂移小、功耗低等特点,性能有很大改善,满足了芯片的需要。

摘要：阐述一种基于5V bicmos高可靠数字集成电路的器件结构、工艺设计和工艺开发,并对该器件的电参数进行测试,与试验仿真值进行比对分析,结果相符合。

摘要：基于0.6μm bicmos工艺设计了一种高稳定性、低功耗以及带有使能控制的带隙基准电压源,利用HSPICE仿真工具对电路进行了仿真。在3.6V的电源电压和27℃室温下,输出的基准电压约为1.248V,其温度系数为15×10-6/℃;当电源电压在2.7V～5.5V变化时,基准电压仅变化10 mV;同时电路亦输出逻辑使能信号;在全条件下,整个电路的最大功耗约为65.45μW。因具有低功耗和使能控制等特性,所以他可广泛应用在各种开关电源等芯片内部。

摘要：设计了一种采用0.25μm bicmos工艺的带隙基准电压源电路和一种不使用多晶硅电阻的启动电路,整个电路具有低功耗和工作电压低的特点.HSpice模拟仿真结果表明,在-40-90℃温度范围内的各种工艺条件下,其输出电压数值精准.

摘要：阐述bicmos抗辐照加固技术,包括材料选择、设计优化与布局、加固工艺流程,探讨低界面态栅氧化制备工艺和复合层钝化工艺等关键技术,对工艺参数优化和流程改进进行探索,对技术进行评估和测试。最终实现符合设计要求的抗辐照总剂量≥300Krad(Si)的产品。

摘要：技术概览第三代完全电介质绝缘的互补SiGe bicmos工艺(BiCom3)是针对超高速高精度模拟集成电路而设计的.上述器件的工作电压为5V,可在广泛的温度范围内工作,其fT的范围为15～20GHz,fmax的值在40～50GHz的范围,最小化了集电极到基板的寄生现象.