摘要：本文设计了一种基于bicmos技术的分频器,结合了双极(Bipolar)和CMOS技术的优点。作为分频器的基本单元,锁存器的工作速度直接影响了分频器的性能。通过分离跟踪差分对与交叉耦合对,并减小后者的偏置电流可以提高锁存器的工作速度。同时,合并两个锁存器的跟踪差分对可以减小分频器的功耗。采用0.8μm bicmos模型在CadenceSPECTRE中仿真,可以得到这种新型高速低功耗分频器的工作频率上限可以达到2.4 GHz,功耗为-1.61 dBm。

摘要：作为光接收机前端的关键部分,限幅放大器要求具有高增益、足够带宽和大动态输入范围。利用IBM公司0.5μm S iGe B iCMOS HBT工艺设计了一种用于10 Gb it/s光纤传输系统的限幅放大器。整个系统包括一个输入缓冲级、3个放大单元级、一个用于驱动50Ω传输线的输出缓冲级和一个失调电压补偿回路。模拟结果表明采用3.3 V单电源供电时限幅放大器的功耗为200 mW,S21小信号增益大于46 dB,3 dB带宽为8.5 GHz,对于输入信号从10 mV到1.5 V的变化范围内输出信号幅值都可以恒定在800 mVpp。

摘要：　设计了一种12位50MHzbicmosD/A转换器,权衡面积和性能的关系,提出了4+8分段式的电流舵结构,并对所设计的电路进行了仿真,取得了很好的仿真结果。

摘要：We present the design of a wide-band low-noise amplifier （LNA） implemented in 0.35μm SiGe bicmos technology for cable and terrestrial tuner applications. The LNA utilizes current injection to achieve high linearity. Without using inductors, the LNA achieves 0.1 ～ 1GHz wide bandwidth and 18. 8dB gain with less than 1.4dB of gain variation. The noise figure of the wideband LNA is 5dB, and its 1dB compression point is - 2dBm and IIP3 is 8dBm. The LNA dissipates 120mW of power with a 5V supply.

摘要：We analyze a wide-band,high-linearity down-conversion mixer for cable receptions that is implemented in 0. 35μm SiGe bicmos technology. The bandwidth of the RF （radio frequency） input covers the range from 1 to 1.8GHz. The measured input power at the - 1dB compression point of the mixer reaches ＋ 14.23dBm. The highest voltage conversion gain is 8. 31dB, while the lowest noise figure is 19.4dB. The power consumed is 54mW with a 5V supply. The test result of the down-conversion mixer is outlined.

摘要：设计了一种适用于1.0～2.0 GHz的高线性下变频混频器。电路设计采用了无源双平衡结构,片内集成宽带巴伦、限幅本振放大器、混频核和偏置电路。为了提高混频器的线性度,在对无源双平衡的结构进行分析的基础上,折中选择混频核的晶体管尺寸,并优化了本振放大器输出信号的幅值及上升时间。基于0.35μm bicmos工艺进行了设计仿真,芯片面积为0.9 mm×1.8 mm。流片测试结果表明:射频频率1.0～2.0 GHz,对应本振频率1.0～2.0 GHz,最佳本振输入功率为0 dBm,转换增益大于-7.0 dB,射频输入三阶交调大于25 dBm,混频器工作电压为3.3 V,功耗为112 mW。该高线性无源双平衡混频器可满足工程应用。

摘要：采用 1.2μm Bi CMOS工艺设制了多相控制器电路 .测试结果表明 ,该控制器符合 Intel公司为 P4处理器电源制定的 VRM9.0标准 .

摘要：提出了一种新颖的900～1 200MHz高线性低噪声放大器的拓扑结构,介绍了电路版图的设计方法。电路采用0.35μm SiGe bicmos工艺制作。测试结果显示,设计的高线性低噪声放大器增益为16.4dB,噪声系数为2.5dB,输入1dB压缩点为-6.0dBm,功耗为50mW(电源电压为5V),尺寸为720μm×950μm。

摘要：介绍了一种低相位噪声2N分频器的设计。该电路采用0.35μm bicmos SiGe工艺制作。1 kHz频偏下的相位噪声为-150 dBc/Hz,大大低于传统的分频器;在-55~125℃温度范围内,电路的工作频带为20 MHz^2.4 GHz,功耗电流约40 mA。数据输入端S0、S1、S2控制电路的分频比在21~28间变化,数据输入端与TTL/CMOS电平兼容。

摘要：根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路。实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,获得了一种高电源抑制比、低温漂、不受电源变化影响的电压基准源。设计采用0.35μm CMOS工艺,仿真结果表明,在-40℃～125℃温度范围内,输出电压的温度系数为7.70×10-7/℃,在1kHz时,电源抑制比为-82.3dB。