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超厚细砂地层大直径后压浆桩荷载传递计算与分析
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《岩土力学》2018年 第4期39卷 1386-1394页
作者:万志辉 戴国亮 龚维明东南大学混凝土及预应力混凝土结构教育部重点实验室江苏南京210096 东南大学土木工程学院江苏南京210096 
为了研究超厚细砂地层大直径后压浆桩的荷载变形特性,基于石首长江公路大桥8根大直径钻孔灌注桩现场静载荷试验结果,分析大直径后压浆桩的荷载传递特性,采用boxLucas1函数的荷载传递模型,在考虑浆泡半径和桩身水泥结石体厚度的基础上建...
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新型Drain box设计与应用
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《中国设备工程》2019年 第14期 154-155页
作者:刘焰明海洋石油工程股份有限公司 
本文首先介绍了目前国内海上油气田设施开排系统设计的工艺设计流程的原理及应用特点,随后通过对比分析介绍了一种新型Drainbox的设计与运用,最后对该新型Drainbox的创新点进行了分析和介绍,并对其推广与应用前景进行了展望。
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box-Behnken效应面法优化盐酸左氧氟沙星胃漂浮缓释片处方
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《中国现代应用药学》2013年 第4期30卷 406-411页
作者:王晓丹 刘克 李芊葵 张吉梅 郭丰广 郝吉福山东泰山医学院药学院山东泰安271016 
目的探讨box-Behnken效应面法在优化盐酸左氧氟沙星胃漂浮缓释片处方过程中的应用。方法以盐酸左氧氟沙星为模型药物,采用湿法制粒压片法制备左氧氟沙星胃漂浮缓释片剂。利用box-Behnken实验设计,考察3种缓释材料HPMC K4M、卡泊姆CP934...
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使用附属密钥S-box的DES变形算法设计
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《技术与市场》2005年 第10A期12卷 49-50页
作者:王强唐山市交通运输管理处河北063000 
目前,DES分组密码被广泛应用于各个领域,其强大的抗差分攻击和抗线性攻击能力取决于其核心的S- box,但由于其固定,大大减弱了攻击难度,本文提出一种使用相关密钥S-box的DES算法,既保持了DES的结构优势, 又在一定程度上增强了抗线性攻击...
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Visual FoxPro中List box十种填充占据方法之比较
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《高等函授学报(自然科学版)》2004年 第3期17卷 49-52,56页
作者:曹大有郧阳师范高等专科学校计科系湖北丹江口442700 
Listbox是VisualFoxPro编程环境中很重要的可视化界面设计工具 ,它有十种不同的填充占据方法。本文将对这十种方法作详细讨论 ,并指出它们各自的特点 。
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中宽带轧线box设备基础设计概述
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《山西建筑》2012年 第8期38卷 55-56页
作者:孙永久中冶华天工程技术有限公司江苏南京210000 
结合自身工作经验,以沙钢1450带钢工程为实例,简要地介绍了box设备基础的设计过程,包括基础的布置、防火分区设计、地下室防排水等内容,以期指导实践,使大家对box基础有直观的认识。
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响应面box-Behnken设计优化超声提取桑椹多酚条件
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《中国民族民间医药》2015年 第10期24卷 25-27页
作者:韦丽文 陈振建广西中医药大学广西南宁530001 广西壮族自治区灵山县人民医院广西灵山535400 
目的:利用响应面box-Behnken设计优化超声提取桑椹多酚工艺条件。方法:选择乙醇浓度、桑椹粉碎度、料液比、提取时间4个因素进行单因素考察,在此基础上,用响应面box-Behnken设计对影响较大的单因素进行3因素3水平响应面分析,以确定最佳...
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box Behnken响应面法优化氢氯噻嗪速释微丸的处方
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《药学与临床研究》2013年 第6期21卷 614-617页
作者:朱雅楠 黄春玉 谢俊 周建平中国药科大学药剂学教研室南京210009 南京金陵药业股份有限公司技术中心南京210009 
目的:筛选以挤出滚圆法制备氢氯噻嗪速释微丸的处方。方法:采用box Behnken响应面法优化设计及Design Expert软件,对挤出滚圆法制备氢氯噻嗪为模型药的处方优化区域确定及优化处方验证。结果:最优处方为每单位剂量含氢氯噻嗪30%,淀粉64....
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基于Minitab软件优化天舒胶囊一步制粒工艺
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《中草药》2013年 第22期44卷 3131-3135页
作者:张爱丽 章晨峰 邵杰江苏联合职业技术学院连云港中医药分院江苏连云港222007 江苏康缘药业股份有限公司江苏连云港222001 中药制药过程新技术国家重点实验室江苏连云港222001 
目的利用Minitab软件优化天舒胶囊一步制粒的工艺条件。方法利用Plackett-Burman设计实验,以颗粒合格率为指标,筛选出天舒胶囊一步制粒的3个主要影响因素:流浸膏-糊精配比、输液频率、雾化压力,并确定非主要影响因素的水平。在此基础上...
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28-nm UTBB FD-SOI vs. 22-nm Tri-Gate FinFET Review: A Designer Guide—Part II
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《Circuits and Systems》2017年 第5期8卷 111-121页
作者:Ali Mohsen Adnan Harb Nathalie Deltimple Abraham SerhaneDepartment of Electrical and Electronics Engineering Lebanese International University Beirut Lebanon IMS Laboratory University of Bordeaux Talence Cedex France Department of Industrial Engineering Lebanese International University Beirut Lebanon 
This is Part II of a two-part paper that explores the 28-nm UTBB FD-SOI CMOS and the 22-nm Tri-Gate FinFET technology as the better alternatives to bulk transistors especially when the transistor’s architecture is go...
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