摘要：NY-1型电化学c-v自动测试仪是用于半导体外延层载流子浓度纵向分布的测量。由电解液/半导体结电容的测量获得载流子浓度。由结电容及腐蚀时流过结的电量可获得对应的深度。交替进行电容、电流测量即可获得载流子浓度纵向分布。该测试仪将电容电流测量、数据处理、结果输出等测试过程由计算机自动进行。已成功地在沪、杭、宁多家用户的砷化镓外延片进行测量并通过江苏省科委的鉴定。鉴定委员会认为“NY-1型电化学c-v自动测试仪”总体设计与单元设计合理。电化学室、恒电位仪、光照系统等单元性能良好。整机各部分工作协调、性能稳定,在国内处于领先地位,已成功地用于砷化镓外延片的测试。对载流子浓度10^(15)～10^(19)cm^(-3)砷化镓材料的分析结果与进口设备PN4200型的分析数据基本相同,可满足实用要求代替进口。本文除对该测试仪的原理、软件及硬件进行描述分析外,还对电解液/砷化镓结特性进行了研究。

摘要：a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PEcvD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和c-v测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后c-v曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si∶HTFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-v特性测试,其开态电流为10μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m2。

摘要：以北京微电子技术研究所自主研发的803微机械陀螺为研究对象,对陀螺的闭环驱动电路进行了分析和设计。闭环驱动电路实现方式主要有自激和锁相环驱动两种方式,对关键的c-v转换电路和AGc电路进行了设计实现。为以后微机械陀螺的驱动电路的研究设计提供依据。