摘要：单粒子效应电路级建模与仿真是近年来的热点问题。为实现更高的准确度和更精细的机制分析,研究了单粒子瞬态受重离子入射位置的影响并解析建模,基于纳米尺度测试芯片的辐照试验结果验证了仿真方法的准确性。以此为基础开发了瞬时辐射效应仿真软件TREES,其输入文件为GDSII格式的版图,软件中通过解析版图提取所有有源区的形状、尺寸信息。软件还包括其他用户自定义选项,包括重离子LET值、待分析区域、激励设置等。输出文件包括对应单次入射的波性文件、单粒子效应敏感区热点图、单粒子效应截面数据等。软件第1版实现了与商用设计流程相集成,可作为Cadence工具栏中的嵌入式软件。软件第2版为不依赖于上下游商业软件的独立软件。本工作可用于评价单元电路或中小规模单粒子效应敏感性,对于熟悉电路级仿真的设计人员,可用于在设计阶段快速评价集成电路的抗辐射加固性能。

摘要：利用脉冲激光单粒子效应试验装置,开展了两种cmos SRAM器件IDT71V416S和K6R4016V1D单粒子闭锁(SEL)效应的研究。基于cmos电路结构SEL效应的机理及触发条件,分析两种cmos器件的闩锁响应特性,设计了两种cmos器件SEL效应防护电路,并探讨了两种防护电路的适用范围及限流电阻、恒流源电流的选取。利用脉冲激光和重离子辐照试验验证了两种防护方法的防护效果。结果表明,当器件工作电流和闩锁维持电流相差不大时,加入限流电阻虽能降低闩锁电流幅值,但电路不能自动退出闩锁状态。恒流源限流防护电路不但降低了SEL电流的幅值,而且自动退出闩锁状态,能更有效地减缓cmos器件电路级闩锁效应。

摘要：结合最近开发的绝缘油耐压测试仪中出现的cmos自锁现象,系统分析了在电路设计中尤其是强电磁场等特殊环境下普遍存在的cmos器件自锁现象产生的机理、触发条件和原因,并提出了抑制该类干扰的各种措施。

摘要：从效应研究的角度出发,利用Labview软件,自行研制了基于PCI插卡式虚拟仪器的cmos器件脉冲总剂量效应在线测试系统,详细介绍了其硬件结构和软件设计思想,利用该系统在“强光一号”辐射模拟装置上开展了试验验证,表明其原理和技术途径是可行的,基本掌握了开展cmos器件脉冲总剂量损伤以及时间关联退火响应研究的关键测试技术。

摘要：以N管阈值电压作为表征参数,对典型cmos器件CC4007在稳态和脉冲γ辐射下的辐射效应与退火特性进行了实验研究,初步探讨了辐射损伤与退火机理。为满足实验需要,设计了抗闭锁辐照实验系统和弱电流测试电路。研究结果表明,cmos器件在稳态和脉冲γ辐照下产生的损伤效应和退火特性具有明显差异,相同累积剂量条件下,稳态辐照产生的器件损伤明显大于脉冲辐照;相同退火时间时,脉冲辐照退火快于稳态辐照。

摘要：cmos图像敏感器应用于星敏感器设计是当前国内外研究的热点。本文采用cmos图像敏感器STAR2 5 0结合当前先进的ARM (RISC)技术 ,设计了具有自主性的轻型嵌入式星敏感器 ,具有抗辐射、体积小、质量轻、低功耗。

摘要：通过测定专门设计的寄生样管电流增益,用注入电流法测定cmos 器件的闭锁阈值及用JT-1图示仪扫描测定闭锁曲线,有力地证实了体硅cmos 器件经中子辐照后其抗闭锁能力及抗瞬时辐照能力均有明显提高,激光脉冲器的瞬时辐照结果亦证实了这点.

摘要：由于cmos器件静电损伤90%是延迟失效,对整机应用的可靠性影响太大,因而有必要对cmos器件进行抗静电措施。本文描述了cmos器件受静电损伤的机理,从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电,以保护cmos器件不受损伤。

摘要：延迟失效是cmos器件静电损伤中90%的现象,大大地影响了机器使用过程中的准确程度,因此对cmos器件采取防静电措施的实施是十分重要的。文章对cmos器件的保护措施进行了说明,同时讲述了导致cmos器件受静电损伤的原因,并找出多种抗静电的方法且让设计人员加以使用,以此防止cmos器件损伤。

摘要：从半导体器件物理的角度分析了dVss/dt触发N阱cmos器件的闩锁失效现象。当瞬时负电压脉冲峰值满足Vss_peak<Vss0(导通临界值约为-0.8V)时,cmos器件发生闩锁效应。dVss/dt外界触发作用消失后,为了达到稳定闩锁效应状态,存储在寄生PNPN结构中耗尽电容的电荷量Qc要大于Qc0(临界值),需要足够的脉冲宽度和较小的晶体管渡越时间。Silvaco瞬态仿真验证表明,该研究结果可用于改善cmos集成电路的可靠性设计。