摘要：提出一种输出低于1V的、无电阻高电源抑制比的cmos带隙基准源（BGR）.该电路适用于片上电源转换器.用HJTC 0.18μm cmos工艺设计并流片实现了该带隙基准源,芯片面积（不包括pad和静电保护电路）为0.031mm2.测试结果表明,采用前调制器结构,带隙基准源电路的输出在100Hz与1kHz处分别获得了-70与-62dB的高电源抑制比.电路输出一个0.5582V的稳定参考电压,当温度在0~85℃范围内变化时,输出电压的变化仅为1.5mV.电源电压VDD在2.4~4V范围内变化时,带隙基准输出电压的变化不超过2mV.

摘要：介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的cmos带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-40～125℃,所有工艺角下的最大误差为23.07mV,其中tt工艺角下的温度系数为21×10-6/℃。电源电压为1.8V时,电源电流为63μA;关断模式下电流为93pA。10kHz的电源抑制比为44dB。

摘要：该文设计了一种应用于cmos带隙基准的软启动电路,使电压基准能够快速、稳定地启动,并在其达到1V左右时自动关闭,对基准电路不产生影响,从而实现了软启动功能。采用Hynix0.5μmcmos工艺和Hspice软件进行仿真后表明,设计的电路满足设计指标要求,具有优良的性能。

摘要：分析了一种无需低阈值电压器件的低压cmos带隙基准源结构,通过具体电路分析和设计验证了该结构相比于传统的基准源结构可以大大降低电源电压。基于0.5um商用标准cmos工艺,使用Hspice仿真该电路得到结果为:最低电源电压为1.45V、输出基准电压604mV、温漂12PPM/℃。

摘要：传统的带隙基准使用PTAT电压对三极管Vbe的温度系数进行线性补偿来得到与温度无关的基准电压,但由于忽略了Vbe的曲率系数r的影响,其输出电压与温度仍存在相关性。本文使用与温度成幂函数关系的电流流过BE结进行曲率补偿,理论上可以完全抵消掉晶体管的曲率系数的影响,得到具有高精度、低温漂的基准电压源。在-40～125℃范围内,其温度系数低至1.06ppm/℃。由于其对工艺变化的不敏感,适合于工程化。该电路参数调整简单,具有很强的模块通用性。