摘要：模拟集成电路好基础短期充电基本内容：本课程讲授cmos模拟集成电路结构的分析与设计．详细介绍各种基本的模拟电路模块设计，还有设计所必须考虑的测试问题．进而通过课题实践范例和专题制作．让学员掌握cmos模拟集成电路的实际设计方法、实用技巧以及成熟的设计经验。

摘要：利用0.18μm cmos工艺设计了应用于光接收机中的10Gb/s限幅放大器。此限幅放大器由输入缓冲,4级放大单元,一级用于驱动50Ω传输线的输出缓冲和失调电压补偿回路构成。输入动态范围为38dB(10mV～800mV),负载上的输出限幅在400mV,在3.3V电源电压下,功耗仅为99mW。整个芯片面积为0.8×1.3mm2。

摘要：设计了一种学习速率自适应的可编程片上学习BP神经网络电路系统 .整个系统由前向网络、误差反传网络两部分组成 .提出了一种新型的可编程S型函数及其导数的发生器电路 .它不仅产生S型函数 ,完成非线性I -V转换 ;还利用前向差分法 ,产生S型函数的导数 .这两种函数不仅与理想函数的拟合程度很好 ,而且易实现对阈值和增益因子的编程 .为提高BP神经网络片上学习的收敛速度 ,还提出了学习速率自适应电路 .本文采用标准 1 2 μmcmos工艺的模型参数 ,对整个系统进行了sin(x)函数拟合等模拟实验 ,验证了该片上学习BP神经网络的优越性能 .

摘要：设计并实现了一种高线性度相位插值器。分析了相位插值器的工作原理和传统相位插值器结构,以此为基础,提出了一种具有高线性度的相位插值器电路。该电路采用TSMC 90nm cmos工艺进行设计,后仿真结果表明本设计的相位插值器具有良好的线性度,整个电路版图面积为(155×368)μm^2,核心电路面积为(63×114)μm^2。在1.2V的电源电压下,相位差值器模块电路的功耗为3.12mW。

摘要：基于 0.6μp标准 cmos工艺,设计并实现了一种可扩展 BP在片学习神经网络芯片.该芯片包含 8个神经元和64个突触.提出了一种新颖的可扩展拓扑结构,使得利用该芯片构成完整的神经网络系统时,不需附加额外的神经元误差计算芯片;将L个芯片层叠起来就可以得到一个L层的神经网络.该芯片采用模拟电路,利用电容进行电荷存储,在片学习本身可用于权重刷新以保证权重值的正确性.奇偶校验实验证明了该神经网络芯片具有在片学习的能力.

摘要：设计了一种基于改进共源共栅电流镜的cmos电流比较器,该比较器在1 V电压且电压误差±10%的状态下都正常工作,同时改进后的结构能够在低电压下取得较低的比较延迟。电路的输入级将输入的电流信号转化为电压信号,电平移位级的引入使该结构能够正常工作在不同的工艺角和温度下,然后通过放大器和反相器得到轨对轨输出电压。基于SMIC 0.18μm cmos工艺进行了版图设计,并使用SPECTRE软件在不同工艺角、温度和电源电压下对电路进行了仿真。结果表明,该电路在TT工艺角下的比较精度为100 nA,平均功耗为85.53μW,延迟为2.55 ns,适合应用于高精度、低功耗电流型集成电路中。

摘要：基本内容：本课程讲授cmos模拟集成电路结构的分析与设计．详细介绍各种基本的模拟电路模块设计．还有设计所必须考虑的测试问题．进而通过课题实践范例和专题制作，让学员掌握cmos模拟集成电路的实际设计方法、实用技巧以及成熟的设计经验。

摘要：1．模拟集成电路人才葬成班课程简介：本课程讲授cmos模拟集成电路结构的分析与设计，详细介绍各种模拟电路模块的设计，还有设计所必须考虑的测试问题，进而通过课题实践范例和专题制作，让学员掌握cmos模拟集成电路的实际设计方法、实用技巧以及成熟的设计经验。

摘要：课程介绍Ⅰ．模拟集成电路人才养成班课程简介：本课程讲授cmos模拟集成电路结构的分析与设计．详细介绍各种模拟电路模块的设计．还有设计所必须考虑的测试问题．进而通过课题实践范例和专题制作．让学员掌握cmos模拟集成电路的实际设计方法、实用技巧以及成熟的设计经验。

摘要：本文分析了基于cmos工艺设计的Gillbert单元乘法器,改进了原有电路工作电压高的缺陷,使它能在更低的电源电压下工作,并在乘法器的输入级加入有源衰减电路,增大乘法器的输入范围。本文采用上华0.6μmcmos工艺进行设计,并用Cadence Spectre仿真器对电路进行了仿真,得到3V电源电压下,输入范围为0～2V的模拟乘法器。