摘要：通过对现有点焊机的控制装置进行改进,增加了采用cmos电路设计的分配控制器控制多个气阀依次动作,完成各自的点焊循环,实现了将普通单点焊机改进为多点焊机。改进后既降低了成本,又充分发挥了现有设备的作用。

摘要：为了提高片上网络中最优化计算的动态规划电路的速度和精确度,提出了一种cmos电流模式的winner-take-all/loser-take-all(WTA/LTA)电路.该电路设计了一个可再生结构放大输入电流的差距并加速比较,从而提高了电流比较的解析度和速度;使用了输出选择的方式来减小电流镜引起的失配误差,从而改善了输出电流的精确度.采用TSMC 180nm工艺技术和1.3V工作电压的仿真实验表明,所提出的WTA/LTA电路可以达到1nA的解析度和99.5%的精确度,同时具有高速、低功耗特性.使用该电路作为基本计算单元的八节点动态规划电路,在相同仿真条件下与未改进的动态规划电路相比,计算延迟减小约60%,同时精确度提高约80%.

摘要：首先对二值ＣＭＯＳ施密特电路的设计思想进行了分析，指出设计施密特电路的关键为阈值控制电路。根据三值ＣＭＯＳ电路有两个信号检测阈的特点，提出了通过文字电路将两个检测阈分离后进行分别控制并由文字电路的输出去控制ＣＭＯＳ传输门的设计方法，由此设计了三值ＣＭＯＳ施密特反相器。

摘要：提出一种新的静态电压型cmos三值电路设计方案。该方案具有电路结构规则,输入信号负载对称等特点,是一种具有互补输入—输出的双轨三值逻辑电路。由于电路中同时采用pMOS和nMOS两种传输管,从而保证了输出信号具有完整的逻辑摆幅和高噪声容限。尤为重要的是该设计方案是基于标准cmos工艺而无需修改阈值电压,且结构较简单。采用0.25μmcmos工艺参数及3V电源的计算机模拟结果同时表明所提出的电路设计具有高速及低功耗的特点。

摘要：本文介绍了一个工作于快照模式的cmos焦平面读出电路新结构———DCA(Direct injectionChargeAmpli fier)结构 .该结构像素电路仅用 4个MOS管 ,采用特殊的版图设计并用PMOS管做复位管 ,既可保证像素内存储电容足够大 ,又可避免复位电压的阈值损失 ,从而提高了读出电路的电荷处理能力 .由于像素电路非常简单 ,且该结构能有效消除列线寄生电容Cbus的影响 ,因此该结构非常适用于小像素、大规模的焦平面读出电路 .采用DCA结构和 1 2 μm双硅双铝 (DPDM Double PolyDouble Metal)标准cmos工艺设计了一个 12 8× 12 8规模焦平面读出电路试验芯片 ,其像素尺寸为 5 0× 5 0 μm2 ,电荷处理能力达 11 2pC .本文详细介绍了该读出电路的体系结构、像素电路、探测器模型和工作时序 ,并给出了精确的HSPICE仿真结果和试验芯片测试结果 .

摘要：反相器也是CM-OS VLSI 电路中的最基本的单元电路。常用的cmos 静态反相器有三种,如图5.1所示。cmos 反相器是由一对互补的MO-SFET 组成的。

摘要：介绍了一种用于封装万门至十万门级 cmos门阵列电路的 PCA1 32多层陶瓷外壳的研制。该外壳的设计采用了 CAD设计布线 ,模拟并优化外壳的信号线电阻、线间电容、电感及传输延迟等参数 ,使其满足电路要求。并且通过结构可靠性设计 ,使外壳抗机械冲击、温度冲击能力大大提高 ,满足了高可靠应用要求。

摘要：　静电放电(ESD)对cmos电路的可靠性构成了很大威胁。随着cmos电路集成度的不断提高,其对ESD保护的要求也更加严格。针对近年来SCR器件更加广泛地被采用到cmos静电保护电路中的情况,文章总结了SCR保护电路发展过程中各种电路的工作机理。旨在为集成电路设计人员提供ESD保护方面的设计思路以及努力方向。

摘要：本文利用数字电路设计理论中的传输电流开关理论对A/D转换器的转换过程进行了分析，提出了仅基于该理论的电流型cmos A/D转换器电路设计。与传统的A/D转换器电路设计比较，它避免了复杂的模拟信号处理部分电路，显著地简化了电路结构。结果表明该电路设计具有正确的逻辑功能。

摘要：本文根据对称传输电流开关理论,设计了可具有多个输出的对称三值电流型cmos施密特反相器。计算机模拟结果表明,它具有理想的施密特特性,并可根据需要调整回差。