摘要：利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能要求 大量的实验结果表明 :文中方法可以快速综合出可制造的深亚微米cmos运算放大器。

摘要：针对cmos运算放大器设计中缺乏自动设计工具,采用手工设计很难提高电路性能的问题,基于群智能技术提出了一种改进的粒子群优化算法(PSO)来进行全局优化求解.主要将cmos运算放大器的电路性能解析方程转化成粒子位置的求解,先初始化粒子的速度和位置,然后不断迭代更新,直到搜索出全局最优值.仿真结果表明,该方法可以提高cmos运算放大器的性能,在精度和速度上优于遗传算法和基本PSO算法的设计效果.

摘要：采用华虹NEC0.35μm1 P2M工艺,设计了一种利用比例电流镜控制的恒跨导R2R输入级及AB类控制输出级的运放结构。仿真结果表明,在2.5V共模输入电压,10pF负载电容和1M负载电阻并联时取得了56dB开环电压增益,60°相位裕度和2.4MHz的单位增益带宽。

摘要：LMR1802G-LB融合ROHM的“电路设计”、“工艺”、“布局”三大模拟技术优势开发而成,是一款等效输入电压噪声密度仅为市场流通产品的1/2左右(1kHz时2.9nV/√Hz,10Hz时7.8nV/√Hz)、低噪声性能具有绝对优势、传感器信号检测性能显著提升的运算放大器。另外,与低噪声性能呈矛盾关系的相位裕量和容性负载驱动也分别实现了业界顶级性能(相位裕量68°,容性负载500pF),还是一款具备业界顶级的低噪声性能,并具有优异稳定性(不易振荡,易于操作)的运放产品。这使得准确地放大仅几μV的电压也成为可能,非常有助于促进需要高精度感测的工业设备和家电发展。

摘要：本文介绍了一种 1 5 -V轨道 -轨道cmos运算放大器 ,该放大器采用了一种新颖的电流折叠共源共栅电路作增益级 ,使用一种电流跨导器作输入级 ,获得了低电源条件下的高电压增益和宽频带响应。在 2 5 -pF的负载电容下 ,它的静态功耗只有 10 0 μW ,直流开环增益 ,单位增益带宽和相位裕度分别达到 72dB ,1 82 -MHz和 5

摘要：设计了一种新颖的恒跨导轨对轨cmos运算放大器结构。输入级采用轨对轨的结构,在输入级采用4个虚拟差分对管来对输入差分对的电流进行限制,使运放的输入级跨导在工作范围内保持恒定。输出级采用前馈式AB类输出结构,以使输出达到全摆幅。仿真结果显示,在5 V电源电压和带有10 pF电容与10 kΩ电阻并联的负载下,该运放在共模输入范围内实现了恒跨导,在整个共模输入范围内跨导变化率仅为3%,输出摆幅也达到了轨对轨全摆幅,运放的开环增益为108.5 dB,增益带宽积为26.7 MHz,相位裕度为76.3°。

摘要：德州仪器(TI)推出采用e-trim技术的高精度、高速12V cmos运算放大器。该款OPA727适用于那些要求出色动态特性的应用领域。PA727可提供出色的交流电性能。其带宽为20MHz、压摆率为30V/us、建立时间为600ns、噪亩为6nV/rtHz，谐波失真为0．0003％。输入共模范围可扩展至接地．以实现单电源工作．并将输出轨摆幅控制在150mV内．

摘要：本文采用套筒式级联增益自举电路,设计了一种用于高速、高分辨率ADC的cmos全差分运算放大器,达到了高增益、低功耗的设计目标。在3.3V电源电压下,基于TSMC0.35μm cmos工艺模型,本设计驱动1pF负载时,相位裕度为65°,单位增益带宽为320MHz,功耗5.7mW,压摆率为200V/μs。

摘要：AD8656/AD8655是美国模拟器件公司推出的低噪声精密cmos运算放大器。该器件采用+2.7～+5.5V低电压供电,很适合应用在便携式仪器仪表、音频、通信和医学系统设计中。文中主要介绍了AD8656/AD8655的主要特点及其应用设计方法。

摘要：文章设计了一种低压、恒定增益、Rail-to-rail的cmos运算放大器。该放大器采用直接交迭工作区的互补并联输入对作为输入级,在2V单电源下,负载电容为25pF时,静态功耗为0.9mW,直流开环增益、单位增益带宽、相位裕度分别为74dB、2.7MHz、60°。