摘要：随着晶体管尺寸按比例缩小,越来越薄的氧化层厚度导致栅上的隧穿电流显著地增大,严重地影响器件和电路的静态特性,为此,基于可靠性理论和仿真,对小尺寸MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的直接隧穿栅电流进行研究,并通过对二输入或非门静态栅泄漏电流的研究,揭示直接隧穿栅电流对cmos(complementary metal oxide semiconductor)逻辑电路的影响。仿真工具为HSPICE软件,MOS器件模型参数采用的是BSIM4和LEVEL 54,栅氧化层厚度为1.4 nm。研究结果表明:边缘直接隧穿电流是小尺寸MOS器件栅直接隧穿电流的重要组成成分;漏端偏置和衬底偏置通过改变表面势影响栅电流密度;cmos逻辑电路中MOS器件有4种工作状态,即线性区、饱和区、亚阈区和截止区;cmos逻辑电路中MOS器件的栅泄漏电流与其工作状态有关。仿真结果与理论分析结果较符合,这些理论和仿真结果有助于以后的集成电路设计。

摘要：分析了 ＣＭＯＳ逻辑电路的功耗来源，从降低电源电压、减小负载电容和逻辑电路开关活动几率等方面论述了降低功耗的途径。讨论了深亚微米器件中亚阈值电流对功耗的影响以及减小亚阈值电流的措施，最后分析了高层次设计对降低功耗的关键作用，说明低功耗设计必须从设计的各个层次加以考虑，实现整体优化设计。

摘要：内容简介：本书集中讲述cmos数字集成电路，反映现代技术的发展水平，提供电路设计的最新资料。本书共有15章。前半部分详细讨论MOS晶体管相关特性和工作原理、基本反相器电路设计、组合逻辑电路及时序逻辑电路的结构与工作原理。后半部分介绍应用于先进VLSI芯片设计的动态逻辑电路，先进的半导体存储电路，低功耗Mcmos逻辑电路，双极性晶体管基本原理和Bicmos数字电路设计，芯片的I／O设计，电路的可制造性设计和可测试性设计等问题。

摘要：意法半导体推出的STHV8008通道超声波发生器将会降低超声波影像机的成本和尺寸。意法半导体独有的S01-BcD6[2]制造工艺可在同一颗芯片上集成低压cmos逻辑电路、精确模拟电路和稳健的功率级，实现前所未有的集成度。