摘要：我们采用一种特定设计的Bridgman Stockbarger炉 ,已经稳定地生长出直径 2 0 0mm ,高1 70mm的caf2 晶体 ,晶体初端与终端有时出现较明显的光散射、亮点及包裹体。晶体初始端主要缺陷是零星分布散射亮点 ,而散射光柱则很轻 ;晶体终端出现 30mm左右的指向终端逐渐变重的散射光柱。进一步试验表明 ,通过改进工艺 ,端部效应影响可以得到有效地改进。大尺寸caf2 单晶体生长工艺技术的成熟主要表现在晶体结构完整性好 ,其次是低角度晶界处的光学连续性好。大尺寸单晶体的制做中 ,结构完整性无论对晶体光学性能还是对元件制做都是至关重要的。决定结构完整性的关键因素是炉内温场分布 ,其次是工艺参数的选取及合理匹配。在低角度晶界界面上 ,应该不存在杂质沉积或者说杂质沉积甚微 ,无微气泡层出现。界面光学连续性好 ,光波通过此处无明显的波前畸变发生。结构完整性好的晶体 ,通过精密退火 ,应力可达到 5～ 8nm/cm ,保证各种光学元件的加工制做及材料性能的要求。目前这些晶体已经进入国内外市场 ,被加工成1 90mm、1 5 7mm以及98mm光学透镜及窗口。