摘要：采用Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了应用于10Gb/s速率级光接收机的前端放大电路。该电路由前置放大器与限幅放大器构成,两者均采用了差分电路形式。前置放大器由共基输入级和带并联负反馈的放大器组成。跨导放大器中的基本放大器采用共集-共发-共基的组合结构扩展带宽。限幅放大器采用两级cherry-hooper结构。芯片面积仅为0.47mm^2。测试结果表明,在3.3V的供电电压下,总功耗为158mW。在输入电压信号25mV时,可以得到清晰对称的眼图。

摘要：利用TSMC 0 18μmCMOS工艺设计了应用于SDH系统STM 6 4 (10Gb/s)速率级光接收机中的限幅放大器 .该放大器采用了改进的cherry hooper结构以获得高的增益带宽积 ,从而保证限幅放大器在 10Gb/s以及更高的速率上工作 .测试结果表明 ,此限幅放大器在 10Gb/s速率上 ,输入动态范围为 4 2dB(3 2mV～ 5 0 0mV) ,5 0Ω负载上的输出限幅在 2 5 0mV ,小信号输入时的最高工作速率为 12Gb/s.限幅放大器采用 1 8V电源供电 ,功耗 110mW .芯片的面积为0 7mm× 0 9mm .

摘要：利用UMC 0.13μm CMOS工艺设计了10 Gbit/s CMOS高增益限幅放大器。本次设计采用五级改进的cherry-hooper结构来提高电路的带宽增益积,运用两级输出缓冲来减少信号的上升下降时间。后仿真结果表明,在1.2 V的供电电压下,电路的功耗为70.8 mW,获得了58.7 dB的增益和9 GHz的-3 dB带宽。输入动态范围为46 dB(6 mVpp^1 200mVpp)时,输出幅度保持在600 mVpp,上升下降时间(10%~90%)为29 ps。芯片的核心面积仅为285.8μm×148.9μm,总面积为665.3μm×515.3μm。