摘要：如果取代同等额定值的硅模块,cree的六只装模块可以降低75%的功率耗损,从而可以直接缩小散热片70%的体积或提高50%的功率密度。新型六只装SiC模块可以消除传统的设计限制(功率密度、效率和成本),允许设计人员设计出高性能、低成本且更可靠的功率转换系统。与最先进的硅模块相比。

摘要：SiC市场领导者cree近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台,基于cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合,能够应对市场更新的设计挑战,可用于更高直流母线电压。且领先于900V超结Si基MOSFET技术,扩大了终端系统的功率范围,在更高温度时仍能提供低导通电阻Rds(on),大大减小了热管理系统的尺寸。

摘要：9月20-24号在加拿大蒙特利尔举办的IEEE能源转换研讨和展销会上,cree发布5篇有关碳化硅基电子功率技术的科技论文。预计9月21日周一,cree的创始人之一兼功率与射频产业的技术总监John Palmour,将在全体大会上发布演说"碳化硅功率器件——关注1-30kV的功率电路动态革新"。在这场演说中。

摘要：cree最新研制的1200 V Z-FET器件可为应用于太阳能、电源和汽车驱动的SiC MOSFET节省3-10 kW的能量。cree在其行业第一的Z-FETTM家族中扩充了新产品——1200 V小电流SiCMOSFET,为功率电子设计工程师提供了一个提高大体积功率转换器效率的途径。新MOSFET器件补充了cree现有的1200 V SiC MOSFET产品,额定电流更小,使其以低廉的价格得到更广泛的应用,或用于同时优化系统的价格和性能。该新器件可用于替代3-10 kW功率变换器中现用的SiIGBT。该公司表示,

摘要：2017年8月,半导体和电子元件分销商贸泽电子（Mouser Electronics）备货cree的XLamp？XHP70.2 LED。与第一代XHP70 LED相比,这些第二代超高功率（XHP）LED的光通量提高了9%,每瓦流明（LPW）增加了18%。贸泽电子供应的cree XLamp XHP70.2 LED封装尺寸与前代产品相同,均为7.0 mm x 7.0 mm,使得客户在现有XHP70设计基础上,能够轻松实现产品升级。