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基于Innovus工具的28 nm ddr phy物理设计方法: 收藏
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引用; 《雷达科学与技术》2020年第4期18卷 457-460页; 作者：王秋实张杰孟少鹏中国电子科技集团公司第三十八研究所安徽合肥230088; 随着CPU、DSP等器件的处理速度迅速提高,对内存的速度和各方面的需求迅速增加。早期的SDRAM工作频率发展到133 MHz已到极限,成为系统性能的瓶颈。ddr(双倍数据率)技术随之应运而生,目前ddr4的性能已经可以达到3200 Mbps级别。ddr phy作...; 随着CPU、DSP等器件的处理速度迅速提高,对内存的速度和各方面的需求迅速增加。早期的SDRAM工作频率发展到133 MHz已到极限,成为系统性能的瓶颈。ddr(双倍数据率)技术随之应运而生,目前ddr4的性能已经可以达到3200 Mbps级别。ddr phy作为存储控制器和DRAM颗粒物理接口之间的通用接口,是制约ddr读写速度提升的关键。本文以TSMC 28 nm工艺的ddr phy设计为例,结合Innovus工具,在描述流程之外,重点研究解决了后端物理设计中时序路径的时间预算、延时优化、路径对齐等问题。最后该ddr phy在一款工业级DSP中成功集成,并且板级测试结果表明其物理设计结果达到指标要求。; 来源：详细信息评论

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