摘要：近来，随着dram技术的瓶颈已经可以预期，以及易失性存储器的断电丢失数据的特性，很多厂商和研发机构都在试图设计出一种全新的存储器，希望能够在性能上有一定提升的同时，彻底改善目前系统主要缓存的易失性特性，甚至向下替代SSD、HDD，向上替代（或者部分替代）SRAM。

摘要：阐述了分步光刻机的发展方向和国内现状，就０５μｍ分步光刻机的设计难点和所采用的关键技术作了进一步的分析。提出了关键技术所采用的设计方案，并对影响、难度最大的工作台技术、自动对准技术、投影镜头技术等的设计原理进行了研究。还对系统的套刻精度进行了分析和测算。

摘要：当今的设计师面对无数的挑战:一方面他们必须满足高技术产品不断扩展的特性需求,另一方面却不得不受到无线和电池装置的电源限制.

摘要：多种来源的漏电流和寄生电容会引起dram的故障,在dram开发期间,工程师需仔细评估这些故障模式,当然也应该考虑工艺变化对漏电流和寄生电容的影响。从20n m技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(dram)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常,D R A M设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为D R A M器件设计中至关重要的一个考虑因素。

摘要：介绍了图文电视中大容量数字存储器设计的基本思想和系统框图，给出了 Ｄ Ｒ Ａ Ｍ 控制电路和字符控制电路的设计方案。

摘要：半导体硬盘SSD（固态硬盘）由NAND闪存、NAND控制器以及用作缓冲存储器的dram所构成（见图1）。在SSD中，坏块管理、纠错编码（ECC）及单元调整等处理都由NAND控制器的闪存转换层（FTL）来执行。SSD的性能不仅取决于NAND闪存的性能，而且在很大程度上还会受到NAND控制器算法的影响。因此，在优化NAND控制器的设计时，需要考虑到NAND闪存的特性。

摘要：近年来图文电视得到了迅速发展。本设计是“图文电视”项目中的一个子项目,即设计图文电视中的汉字显示系统。本文简要介绍了图文电视的基本概念,详细描述了设计的基本思想和两个FPGA功能模块的具体实现。

摘要：美光科技(Micron Technology)新近推出200万像素和300万像素两款采用DigitalClarity技术的CMOS图象传感器产品,据称由于采用了dram制造工艺和独特的结构设计,因此在信噪比和弱光敏感度等指标上已经达到了CCD图像传感器的水平.

摘要：集成电路发展现状硅集成电路的发展方向是集成度提高、圆片直径增大、特征尺寸减小、互连线层数增多等.迄今为止其遵循的主要规律,即人所共知的Moore定律:每个芯片上的晶体管数每年增加50%,或每3.5年增加4倍;特征尺寸(沟道长度)、门延迟、连线的步径(线宽+间距)每年减小13%.目前国际上已有15个国家(地区)建有160多条8英寸生产线,7个国家(地区)建有1 2英寸生产线.

摘要：图文电视的基本概念、图文电视中接收端的大容量数字存储器设计的基本思想和２个ＦＰＧＡ功能模块的具体实现。