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一种3.5 GHz LTE 应用的30 W 40%效率 GaN doherty 功放设计
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《固体电子学研究与进展》2019年 第1期39卷 5-9,63页
作者:陈志勇 李昂 曾瑞峰 祝超 张吕 陈新宇南京国博电子有限公司南京211100 
设计了一款适用于多载波聚合,满足160 MHz LTE信号带宽下适用数字预失真技术(DPD)校正的GaN doherty功放。测试结果表明,在3.4~3.6 GHz的工作频率范围内,使用脉冲信号测试时,功率放大器的饱和输出功率大于54 dBm,在输出回退功率44.8 dB...
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调整峰值功放电流响应提高效率的LTE-A doherty功放
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《微波学报》2014年 第6期30卷 14-17,30页
作者:孙引进 朱晓维东南大学信息科学与工程学院毫米波国家重点实验室南京210096 
介绍了一种利用宽带输入匹配网络调整峰值功放输出电流,改善doherty功放负载调制效果和带内效率的设计方法。理论分析表明,doherty功放中峰值功放C类偏置情况下带来的带内不一致开启特性会影响输出电流和负载调制效果。通过引入宽带输...
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线性doherty功放的优化设计
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《微波学报》2010年 第1期26卷 72-75页
作者:向永波 王光明空军工程大学三原713800 
设计了一个高效率、高线性度的射频doherty GSM基站功放。利用doherty功放的载波放大器与峰值放大器之间的互调对消技术使doherty功放的三阶互调干扰(IMD3)改善了11dBc;并通过相位补偿延迟线的前置处理进一步提高了功放的效率,使其效率...
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基于非对称架构的双频段大回退doherty功放设计
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《无线通信技术》2024年 第3期33卷 50-56页
作者:何育生 叶敏宁波大学信息科学与工程学院宁波315211 
射频系统对多频功放需求越来越大,基于有源动态负载调制技术的doherty功率放大器(DPA)作为射频前端的关键部件,其效率和性能是设计的关键,但是传统单频段回退6dB的DPA已无法满足发展需求。本文设计了一款工作在2.6/3.5 GHz的双频段大回...
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应用于doherty功放的宽带可调功率合成网络
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《无线电通信技术》2014年 第3期40卷 6-9页
作者:郭晓锋 叶焱 刘太君 徐谦宁波大学信息科学与工程学院浙江宁波315211 
针对doherty功率放大器的多波段、多模式应用,提出了一种宽带可调功率合成网络结构。对传统1/4波长微带线进行pi型网络等效设计,并对其可调谐操作的实现方法进行分析,在此基础上引入变容二极管,借助其电调特性,实现较宽频带范围内的调...
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基于GaN HEMT的高效率doherty功率放大器设计
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《固体电子学研究与进展》2017年 第3期37卷 187-190,200页
作者:杨章 和新阳 杨飞中国空间技术研究院西安分院西安710100 
对影响doherty功放回退效率的因素进行了分析,从输入功率配置、载波功放与峰值功放栅压以及相位平衡等多重角度进行了仿真,并基于此讨论了DPA(doherty power amplifier)输出功率回退点的效率空间,从该效率空间出发,可以选择合适的功率...
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基于GaN HEMT的非对称型doherty功率放大器设计
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《固体电子学研究与进展》2021年 第5期41卷 343-347,358页
作者:汪荣昌 陈新宇 张吕 陈志勇 祝超 曾瑞峰南京邮电大学南京210023 南京国博电子有限公司南京211100 
采用SiC衬底0.45μm GaN HEMT工艺,设计了一款GaN混合集成两级非对称doherty功放,在较大的回退状态下仍具有较高的效率。为了减小芯片尺寸,采用无源集总元件搭建功率分配器,同时采用π型结构替代1/4λ阻抗变换线。测试结果表明:在3.4~3....
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宽带高效率doherty电路的雷达应用设计
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《微波学报》2020年 第4期36卷 51-54页
作者:孙引进 张亚兵 杨光 徐欣欢中国电子科技集团公司第十四研究所南京210039 
针对未来多功能一体化雷达探测、通信等多样化需求,雷达系统的发射链路需要在探测和通信两种不同应用下同时输出高效率特性。但是基于非恒包络的通信信号具有高峰均比特点,而雷达系统恒包络信号却可以在高的饱和功率点工作。要求发射链...
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射频信道非线性失真对多载波数字通信的影响及常用线性化技术分析
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《电讯技术》2011年 第7期51卷 122-127页
作者:校莉中国西南电子技术研究所成都610036 
讨论了信道非线性特性引起的各种失真特性,利用仿真软件比较了信道非线性对单载波和多载波数字通信的影响,总结并分析了目前常用的信道线性化技术,对于高频段多载波数字通信系统射频信道的线性化设计具有一定的指导意义。
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S波段GaN MMIC doherty功率放大器
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《太赫兹科学与电子信息学报》2018年 第2期16卷 363-367页
作者:任健 要志宏中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051 
采用SiC衬底0.25μm Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管工艺,研制了一款S波段GaN单片微波集成电路(MMIC)doherty功率放大器,在回退的工作状态下仍可以保持较高的效率,可用于小型基站。为减小芯片尺寸,采用无源集总元件替代四分之一阻抗变换...
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