摘要：随着存储技术的高速发展,以NAND FLASH为存储介质的存储系统具有存储密度高、容量大、体积小、功耗低和成本低等优点,因此NAND FLASH在不同的领域都得到了广泛的应用。然而,由于NAND FLASH本身的工艺局限性,其数据在传输与存储过程中可能发生"位翻转"的现象,故为了保证存储数据的可靠性,NAND FLASH存储系统在使用过程中需要伴随一定的检错与纠错机制。在对常用的NAND FLASH存储系统校验算法进行简要介绍的基础上,结合NAND FLASH的本身特性,确定在系统中使用ecc校验。对ecc校验的原理及FPGA设计实现进行了阐述,并对设计实现进行了功能仿真和试验验证。

摘要：在片上系统(System On Chip,SoC)芯片中,直接存储器访问(Direct Memory Access,DMA)用于处理大量数据,但很少考虑对其内部信号的保护。本文提出了一种新的DMA控制器硬件架构,该架构结合了错误码纠正校验(Error Correcting Code,ecc)算法来增强数据保护。通过对DMA控制器在不同情形下的仿真验证,证实了本文所设计的系统切实可行,能够实现单比特数据错误自动纠错、多比特数据错误报告,对于车载SoC可以提供一定的参考价值。

摘要：基于Flash存储器的Hamming编码原理,在Altera Quartus II 7.0开发环境下,实现ecc校验功能。测试结果表明,该程序可实现每256 Byte数据生成3 Byte的ecc校验数据,能够检测出1 bit错误和2 bit错误,对于1 bit错误还能找出其出错位置并予以纠正,可应用于NAND Flash读写控制器的FPGA设计,保证数据传输的可靠性。

摘要：针对病人数据保密和安全性需求,提出一种基于ARM Cortex-M3的高速安全U盘设计与实现方法。重点阐述U盘固件设计中存储管理部分的写操作优化、磨损均衡管理策略、坏块管理算法、NAND Flash ecc校验方法,以及U盘安全性软件设计与实现等。实验结果表明,该高速安全U盘能在实现USB2.0高速传输的同时,较好地确保U盘使用的安全性。

摘要：针对遥测领域记录器出现的容量有限、连续记录速率慢和掉电再上电传输中断问题,设计了一种基于现场可编程门阵列(field-programmable gate array,FPGA)和非易失性存储芯片的实时数据记录卡。首先介绍了NAND Flash(NAND闪存)存储芯片的结构,通过有效的坏块管理、ecc(error checking and correcting)校验和掉电信息保存法,减小了系统资源利用率,实现了实时数据的高速存储以及掉电续传,同时利用MATLAB 2016对回读的数据进行了分析。实验结果表明:记录卡达到了系统要求,实际记录速率250 MB/s,回读速率30 MB/s,记录容量达到64 GB。在现代数据实时存储记录系统中有很好的应用前景。

摘要：针对存储系统中对存储容量和存储带宽的要求不断提高,设计了一款高性能的超大容量数据存储器。该存储器采用NAND Flash作为存储介质,单板载有144片芯片,分为3组,每组48片,降低了单片的存储速度,实现了576 Gbyte的海量存储。设计采用FPGA进行多片NAND Flash芯片并行读写来提高读写带宽,使得大容量高带宽的存储器得以实现。针对NAND Flash存在坏块的缺点,提出了相应的管理方法,保证了数据的可靠性。

摘要：随着军用电子系统的信息化、智能化、集成化水平不断提升,其所需实现的任务种类和数量越来越多,其所处作战环境也越来越复杂,使得其对高性能高可靠处理器的需求越来越迫切.针对军用电子系统对处理器的高性能应用需求,本文运用双发射指令执行技术、分支预测优化技术以及紧耦合的片上存储管理技术等提升处理器的指令执行效率;针对军用电子系统对处理器的高可靠应用需求,本文应用基于锁步结构的指令恢复技术来提高处理器的容错能力,并采用ecc校验技术和冗余备份技术来提高片上存储系统的纠检错能力和可靠性水平.最终,实现了一款性能达到2 DMIPS/MHz、主频达到300 MHz的面向军用电子系统高性能高可靠处理器.

摘要：采用无效块管理技术和ecc校验技术,进行了弹载数据记录仪存储逻辑方案设计,并给出两种可靠性存储技术的具体实现手段,提高了测试数据的完整性和可靠性。经过系统功能测试,验证了该系统存储逻辑正确、数据准确、可靠性高,具有良好的可移植性和推广价值。

摘要：NANDFLASH采用 8根I/O信号线复杂的传送控制、地址和数据信息 ,其控制逻辑需要专门设计。该接口设计基于ARM 7TDMI核 ,AMBAAHB总线结构 ,支持 1bitecc校验和位宽转换。接口设计中的状态机由命令字发送状态组完成对NANDFLASH命令字发送 ,地址发送状态组完成写地址发送 ,读状态组完成读操作 ,写状态组完成写操作。该设计已通过仿真和芯片验证测试 ,功能符合NANDFLASH操作规范。

摘要：在嵌入式系统中,一般采用RAM+Flash的存储模式。在基于C6310Android智能手机实现LK系统基本引导加载功能的基础上,对Nand Flash基本功能的实现提出了一套完整的设计方案。该方案对Nand Flash进行了重新布局,实现了Nand Flash升级模块的功能,并且针对Nand Flash读写速度,提出了一种坏块管理策略和硬件并行ecc校验的设计方案。