摘要：We present a new sense amplifier circuit for eeprom memory. The topology of the sense amplifier uses a voltage sensing method,having low cost and low power consumption as well as high reliability. The sense amplifier was implemented in an eeprom realized with an SMIC 0.35-μm 2P3M CMOS embedded eeprom process. Under the condition that the power supply is 3.3 V,simulation results showed that the charge time is 35 ns in the proposed sense amplifier,and that the maximum average current consumption during the read period is 40 μA. The novel topology allows the circuit to function with power supplies as low as 1.4 V. The sense amplifier has been implemented in 2-kb eeprom memory for RFID tag IC applications,and has a silicon area of only 240 μm2.

摘要：当普通eeprom单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18μm工艺,设计出一种新型抗辐照eeprom单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56μm2,抗总剂量效应能力大于1 500 Gy,抗辐照能力明显优于普通结构.为明确失效机制,基于新单元结构在辐照条件下的阈值退化曲线,分析了辐照效应对存储单元的影响,并与普通单元的辐照效应相比较.结果表明:总剂量效应引起的边缘寄生管源/漏端漏电及场氧下漏电是深亚微米工艺eeprom失效的主要机制.新单元针对失效机制的加固设计,提高了抗辐照能力和可靠性.该设计为满足太空应用中抗辐照存储器的需要,提供了良好的基础.

摘要：在FPGA读写eeprom控制器时,常用的接口有I2C和SPI。它们都是常见的串行通信协议,在不同的应用场景中发挥着重要作用。在对传输速率有较高要求的场景中,SPI因其高速和灵活性,通常是一个较好的选择。文章设计了一种基于FPGA的SPI总线读写eeprom控制器,利用上位机通过串口下发指令参数,FPGA接收到指令后配置eeprom芯片,实现其读写功能。通过仿真测试和实验验证,结果表明该控制器具有较好的移植性和强可靠性等优点。

摘要：设计了一种适用于ATCXO中eeprom的控制电路.主要功能是提供eeprom中所需要的相关数据并生成相应的控制信号,对eeprom电路的工作模式进行相应的控制和切换.设计采用类似于SPI的总线传输模式,优化了电路的设计,实现所需功能的前提下,使电路控制系统的设计更为简洁、降低了电路的复杂度.

摘要：讨论了对eeprom数字调频式石英手表电路的走时偏差的自动测量、自动调准、自动校核的调准器的原理和设计方法.

摘要：本文评述了eeprom的应用特点及其发展前景,讨论了eeprom在ASIC专用集成电路设计巾的应用,最后介绍在线开发的若干问题和方法.

摘要：　基于0.35μmCMOS工艺,设计并实现了一个3.3V16kbeeprom存储器。该电路采用2k×8的并行结构体系。通过优化设计灵敏放大器、位线译码和字线充放电等电路,加快了读取速度,典型值仅40ns;通过编程模式和编程电路的设计,提高了编程速度,页编程时间为2ms,等效于每字节62ms。重点研究了片上高压产生电路,提出了一种在不增加工艺难度和设计复杂度的情况下提供良好性能的电荷泵电路。电路的单元面积为11.27μm2,芯片尺寸约1.5mm2。

摘要：This article introduces an eeprom memory cell model that is different from the equivalent capacitance model. This model uses high-frequency components in circuit design, including MOS transistors, zener diodes, resistors, capacitors, etc., and builds a model that can be used in most analog environments. The simulation of the transient process of write and read operations helps designers understand the working principle of eeprom, and it can also be applied to the overall circuit design. According to the structure and working principle of the eeprom cell device, a model of its equivalent circuit is established, and the read, write, and erase operations of the eeprom cell are transiently simulated using this model. The simulation results verify the correctness of the model.

摘要：设计了一种应用于eeprom的低电源电压的片内升压电路。基于电压倍乘电路,获得两倍于电源电压的驱动电压,用来驱动高压电荷泵电路得到eeprom擦写用的15 V高压,实现eeprom在1.3 V电压下稳定的工作。同时,基于负温度特性的电压分压电路实现电荷泵输出高压的负温度特性,提升了存储器在整个工作温度范围(-40℃~85℃)内的可靠性。设计的高压产生电路在0.13μm Embedded eeprom CMOS工艺实现,工作电压为1.3 V^1.75 V,面积大小为600μm×80μm。

摘要：介绍了RFID无源标签设计中的eeprom存储器结构,通过分析Dickson电荷泵的工作原理以及广泛应用的NMOS电荷泵的设计思想,提出了一种改进的PMOS电荷泵设计方法,能够消除NMOS电荷泵电路中由于衬底接地而产生的衬偏电压造成的体效应,并对该PMOS电荷泵设计方法进行了仿真分析。