摘要：随着eeprom存储器件在太空和军事领域的广泛应用,国际上对eeprom抗辐射性能的研究越来越多。为了达到提高存储器件抗辐射性能的目的,文章从版图设计的角度出发,首先分析了辐射对器件造成的影响,接下来分别介绍了基于FLOTOX和SONOS工艺的eeprom器件特性,同时指出了在版图设计时需要注意的电压耦合比的问题。在设计中,利用管内隔离和管间隔离的方法,使得管内源/漏端和相邻两管源/漏端之间没有场氧介入,或是将场氧隔开,不让场区下形成漏电通道。设计出的eeprom版图,不但满足了目前的工作需要,同时为以后抗辐射版图设计提供了有用的参考。

摘要：本文通过使用already-on(native)元件所提出的阵列式灵敏放大器的改进结构,虽然该结构会使版图的面积增大,芯片的成本增加;但在它处于低功耗模式时,可有效的感应位线上更小的充电电流。并且在没有其它功耗增加的基础上,性能却得到了提高。并且它的设计简单,在具体的工艺过程中很容易实现。

摘要：设计了一款集成了输入串行数字接口、内嵌eeprom单元的同步整流升压式DC-DC转换芯片,用于手机背光灯的白光发光二极管(LED)驱动控制。通过内嵌的8位eeprom存储阵列电路对芯片进行配置可得到3个不同型号的芯片系列,分别驱动3、4、5个串联白光二极管,并依次对应三种过压保护阈值(14.5、18.5和23.5 V)。该芯片可采用1、1.2、1.4和1.6 MHz高频开关频率,具体频率可通过eeprom进行配置,给芯片外围电路的设计带来了极大的灵活性。同时,可利用eeprom单元对芯片中的参考电压基准电路进行校准,提升芯片性能。