摘要：在0.18μm SiGe BiCMOS工艺下,设计了三种射频端口的esd防护电路。在不影响esd防护能力的前提下,通过串联多级二极管,可以显著提高射频电路的线性度。通过在二极管通路中串联LC谐振网络和大电感,在显著降低射频端口esd防护电路插入损耗的同时还提高了射频电路的线性度。仿真结果表明,两级串联二极管结构可以将输入1dB压缩点提高至18.9 dBm。在16GHz频点,串联LC谐振网络设计和串联大电感设计分别可以将插入损耗减小0.5dB和0.9dB。

摘要：提出一种新颖的片上静电泄放(esd)防护器件,该器件由N阱/P阱二极管、基于high-K金属栅CMOS工艺形成的二极管、寄生的晶闸管(SCR)和内嵌的电源钳位电路等几部分构成,具有多条esd通路,能实现对单个IO管脚的PS-Mode、NS-Mode、PD-Mode、ND-Mode及DSMode共5种esd应力模式的保护。本文分析了high-K工艺下各种SCR模块的结构和工作机制,通过合理配置这些SCR,该器件的一些关键esd参数如触发电压、保持电压等能根据具体需要而调整,以满足片上系统(SoC)的多电源域的应用情况,利用传输线脉冲(TLP)、快速TLP和C-V等方式全方位验证了该器件的性能。结果表明,紧凑的结构、较少的互连线、较低的寄生电容、快速的响应能力使设计的器件适合高速IO接口电路的esd防护。

摘要：电子通信产品esd防护设计情况直接关系着设备的质量与使用情况,会不同程度的影响着设备经销商对产品的推广,对于企业的经济与社会效益都有着重要影响,这些问题都对产品在市场竞争中的地位及未来的生存与发展起到重要作用。所以,在进行电子产品设计与生产过程中,esd防护设计是不可忽视的重要环节。因此,本研究主要介绍了esd对电子通讯产品的危害,电子通信产品esd防护设计中的缺陷,电子通信产品静电防护设计的要求及注意事项,并探讨了电子通讯产品esd防护设计的方法。

摘要：电子通信产品esd防护设计情况,对产品设备本身的使用以及质量有非常重要的影响。很多电子产品在销售推广过程中,商家都会以产品具有良好防静电能力作为产品卖点。可见esd防护设计的重要性。对于电子通信产品来说,具有良好的防静电能力,不仅是产品营销的卖点,更重要的是静电防护能力确实对产品使用的安全性发挥着关键影响作用。因此,对于生产厂家来说,要切实做好电子产品的esd防护设计,提高设备的静电防护能力。文章重点探讨了电子通信产品的esd防护设计方法。

摘要：在电子通讯产品具体的设计以及使用的过程中,经常产生静电的释放,简称为esd,这种静电释放会给产品带来一定的干扰,从而损坏产品内部的元器件,引起严重的故障,甚至会使产品失效。因此,对于esd防护具体的设计具有重要的意义。本文主要讲述了esd带来的主要危害以及电子通讯产品使用esd防护的具体设计方法。

摘要：便携设备对电路保护方案的需求正在迅速增长，本文以智能手机esd防护为例，解析TVS元件在智能手机各个模组中的应用。

摘要：在高速数据率下，低电容esd保护对于保持USB2．0、IEEE 1394以及ITV操作中使用的DVI和HDMI协议的数据完整性是很关键的。

摘要：与集成电路的发展相对应,芯片采用的工艺也在随之提升,具有比较良好的性能,但是同时先进工艺的使用对芯片产生的静电放电既esd的承受能力降低了,因此需要提升esd的防护能力。从而进行esd防护电路的有效设计,我国esd的发展应当充分向国际水平看齐。

摘要：静电释放(esd)是指电荷在两个电势不等的物体之间转移的物理现象,它存在于人们日常工作生活的任意环节。随着集成电路特征尺寸不断减小、集成度不断增高,芯片对esd也变得越来越敏感。为了用尽可能小的版图面积来实现esd防护,利用晶闸管结构(SCR)来实现集成电路的esd防护已成为当下的研究热点。但传统SCR的维持电压和维持电流都很低,若直接将其应用于电源esd防护则会导致严重的闩锁效应(latch-up)。基于高维持电流设计窗口,提出一种可用于15 V电路的抗闩锁SCR器件,并通过混合仿真验证了该器件的有效性。

摘要：成果简介：传统的esd设计通常采用“反复实验法”，这种方法成本高且周期长。香港应用科教研究院PAD组发展了一套esd仿真设计方法，通过该方法能够得到esd设备的弹性曲线。在硅芯片投产之前，可通过调整设计参数实现优化设计，以降低成本和缩短设计周期。应科院esd研究团队已经发展了几个全芯片esd保护解决方案，可以应用于1至2微米CMOS逻辑、0．35微米混合信号和高压SOIBCD工艺。