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eraln/蓝宝石基SAW谐振器制备与性能研究: 收藏
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引用; 《压电与声光》2019年第5期41卷 631-634,638页; 作者：张必壮葛澍蔚许绍俊杨成韬电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054 川庆钻探工程有限公司地质勘探开发研究院四川成都610051; 采用Er镶嵌靶,以射频(RF)反应磁控溅射法,在蓝宝石衬底上制备出了c轴取向的Er 0.11 Al 0.89 N z压电薄膜。运用正交设计实验优化后,Er 0.11 Al 0.89 N z薄膜的膜厚、表面粗糙度分别为1.20μm和1.0 nm,光学介电常数从4.19增大到4.29。Er ...; 采用Er镶嵌靶,以射频(RF)反应磁控溅射法,在蓝宝石衬底上制备出了c轴取向的Er 0.11 Al 0.89 N z压电薄膜。运用正交设计实验优化后,Er 0.11 Al 0.89 N z薄膜的膜厚、表面粗糙度分别为1.20μm和1.0 nm,光学介电常数从4.19增大到4.29。Er 0.11 Al 0.89 N z/蓝宝石基声表面波(SAW)谐振器的中心频率和品质因数Q值相较于纯AlN降低,有效机电耦合系数比AlN z/蓝宝石基SAW谐振器提高了20%,达到1.80%。研究结果表明,Er掺杂AlN后晶格常数比值c/a基本保持不变,但晶体中离子键成分的上升使晶体结构软化,从而导致器件频率下降,有效机电耦合系数增加。; 来源：详细信息评论

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