摘要：flash存储器常作为嵌入式大屏幕显示系统的显示信息存储设备,然而flash存储器在使用时会存在诸如位反转等读写操作出错的问题,给系统的正常显示控制带来隐患。对flash存储器存储误码率进行了分析,并结合显示数据存取的特点,设计了差错控制编码来实现flash存储器下的显示数据差错控制。结合嵌入式控制系统的特点,设计了一种基于(31,26)循环汉明码编译码电路,在实际应用中可以将误码率降低至少1个数量级以上,提升了数据存储器抗突发干扰和随机干扰的能力,同时具有较低的设计复杂度。

摘要：内建自测试是一种有效的测试存储器的方法。分析了NOR型flash存储器的故障模型和测试存储器的测试算法,在此基础上,设计了flash存储器的内建自测试控制器。控制器采用了一种23位的指令,并且通过JATG接口来控制,结果通过扫描链输出。验证结果表明,设计的内建自测试结构对固定故障、转换故障、桥接故障、耦合故障、栅极干扰、漏极干扰、过渡擦除和读干扰均有100%的故障覆盖率。

摘要：为了比对分析多家厂商生产的NAND型flash存储器的抗辐照能力和数据保持能力,选择了3种规格（代号为A,B和C）的商业级flash存储器作为研究对象,设计了故障测试算法,研究了3种flash存储器的抗^60Coγ射线总剂量的能力。首先研究了存储器经常出现的各种故障模型,并设计了相应的故障测试算法;其次搭建了以数字信号处理器（DSP）为核心的硬件测试电路;最后以^60Coγ射线作为器件的辐照源,利用设计好的故障测试算法对辐照环境下的flash存储器在总剂量值每增加10 krad（Si）后进行一次故障检测。结果显示,B和C器件在总剂量值达到20 krad（Si）时开始出现故障,40 krad（Si）时出现数据的0→1翻转,70 krad（Si）时翻转率高于2%;A器件在40 krad（Si）时开始出现故障,70 krad（Si）时出现0→1翻转,翻转率为0.6%。从抗辐照能力和数据保持能力两个角度观察认为,商业级的A器件要优于B和C器件。

摘要：本文提出了一种适用于单电源,低电压供电的flash存储器的负压电荷泵实现方法.在分析电荷泵工作原理的基础上,结合NOR flash存储器电路系统对该负电压的要求,提出了用于抑制编程串扰的负压电荷泵电路结构,并详细分析其工作原理.最后针对不同工艺角、电源电压和温度对该电路进行系统的仿真验证,结果显示对于上述各情形该电荷泵系统均可以在2μs内稳定输出-300mV的电压,达到设计要求.

摘要：高性能DSP处理器与flash存储器的接口设计是开发基于TMS320C6000系列DSP的嵌入式实时系统的一项重要技术。以基于三个TMS320C6201/6701DSP芯片开发成功的嵌入式并行图像处理实时系统为例,介绍了高性能DSP处理器与flash存储器的接口设计技术以及引导程序的生成。

摘要：介绍了一种用flash存储器作为弹上数据存储介质的数据采集系统,在简单介绍flash存储器的基础上,着重从flash存储器的逻辑控制、读写编程等角度进行了硬件电路设计和软件设计。

摘要：flash存储器是继传统ROM和EPROM之后推出的新型存储器件。它可通过与之相连的微处理器在线编程和擦除 ,因而十分适合嵌入式系统的设计和开发。文章分析了flash存储器的软硬件结构特征 。

摘要：本文以ＡＤＭ公司的Ｆｌａｓｈ存储器Ａｍ２９Ｆ０１６Ｂ为例介绍了Ｆｌａｓｈ存储器的原理与操作，并且讲述了Ｆｌａｓｈ存储器与微处理器的接口设计方法。

摘要：由于大容量flash存储器全地址功能测试时间较长,在自动化测试设备(ATE)上进行高低温测试时,长时间使用热流罩会导致测试设备运行异常。为把存储器测试过程中耗时最长的全地址功能测试部分从ATE机台上分离出来,设计一个基于FPGA的驱动板卡,结合MSCAN和Checkerboard算法实现了对被测芯片激励信号的施加;然后,设计一个12工位的驱动板卡,实现了在三温条件下的多芯片同步测试;接着,设计一个基于Qt的上位机软件,实现了对测试结果的实时显示与存储;最后,对2 GB大容量flash存储器进行测试验证。测试结果表明,与传统的ATE测试相比,基于驱动板和工位板的测试系统可实现对大容量flash的全地址功能的高低温测试,且工位板具有的高可扩展性可实现多芯片的同步测试,大幅提高了测试效率。

摘要：基于实时嵌入式操作系统μCOS-Ⅱ内核,采用类似DOS的FAT文件系统,实现了一种适用于Nandflash的嵌入式文件系统。该文件系统从可靠性、耗损平衡、垃圾回收及文件系统的优化几个方面进行设计。