摘要：提出了一种快瞬态响应、宽输入电压范围、无片外电容的低压差线性稳压器(LDO),应用于给主控(MCU)芯片中的Flash供电。该稳压器基于超级源跟随器结构,由快慢两个通路构成。采用电容耦合方式感知负载变化,进一步增强瞬态响应。电路采用UMC 55 nm工艺设计实现,使用Spectre软件进行了仿真验证。仿真结果表明,当负载电流以10 ps的跳变边沿在0~10 mA范围变化时,输出电压的最大上冲值和下冲值分别为109 mV、153 mV。在输入电压2~3.6 V范围内,线性调整率和负载调整率分别为2.6 mV·V^-1和0.5 mV·mA^-1。

摘要：采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于电流型DC-DC转换器的斜坡补偿电路。基于fvf结构,电路能动态地检测输入和输出电压,并将该电压差转换成电流,产生自适应斜坡电压,不仅提高了DC-DC转换器的补偿精度,还避免了高占空比下的过补偿,提高了系统在高占空比下的带负载能力。仿真结果表明,在5V工作电压下,输出电压工作范围为1~4.5V,即占空比最高可达90%,最大负载可达1A。

摘要：利用一种新技术,在低压(1.8 V)条件下,设计了一种高性能的开关电流(SI)存储单元电路。该电路通过在基本存储单元基础上增加一个电压反转跟随器电路(fvf),从存储晶体管的输入端直接消除时钟馈通(CFT)误差电压,从而阻止了电流误差的产生,使得输出端的CFT误差电流降为原来的6%,并通过Hspice给出了仿真结果。结果表明所设计的电路方案正确有效。

摘要：为实现开关电流振荡器,采用将2个开关电流双线性积分器级联的方法,其中,开关电流双线性积分器由增加了电压反转跟随器电路(fvf)的开关电流存储单元组成。将设计好的开关电流振荡器在Cadence Spectre下仿真,使用SMIC 0.18μm工艺,电源电压为1.8 V,仿真结果表明该振荡器性能良好,频率可调,当开关电流存储单元的时钟采样频率为5 MHz时,仅需8.8μs振荡波形即可达到稳定。实现的开关电流振荡器具有结构简单、起振时间短、精确度高和振荡频率可调的优点。