摘要：集成电路延续摩尔定律的发展正在从鳍栅场效应晶体管(finfet)纳电子学时代向原子水平上的埃(?魡)时代转变。综述了该转变阶段的三大创新发展热点,finfet、环栅场效应晶体管(GAAFET)和互补场效应晶体管(CFET)纳电子学的发展历程和最新进展。在finfet纳电子领域综述并分析了当今Si基CMOS集成电路的发展现状,包含覆盖了22 nm、14 nm、10 nm、7 nm和5 nm 5个发展代次的创新特点和3 nm技术节点的创新和应用。在GAAFET纳电子学领域综述并分析了各类GAAFET的结构创新,2 nm技术节点的关键技术突破,3 nm技术节点的多桥沟道场效应晶体管技术平台创新与应用,以及GAAFET有关工艺、器件结构、电路和材料等方面的创新。在CFET纳电子学领域综述并分析了CFET技术在器件模型、堆叠工艺、单胞电路设计和三维集成等方面的创新,展现出CFET超越2 nm技术节点的发展新态势。

摘要：芯片制造商已经在基于10 nm和/或7 nm Fin FET准备他们的下一代技术了,但我们仍然还不清楚finfet还能坚持多长时间、用于高端设备的10 nm和7 nm节点还能延展多久以及接下来会如何。在5 nm、3 nm以及更小节点,半导体行业还面临着巨大的不确定性和许多难题。即使在今天,随着每个节点的工艺复杂度和成本的上升,传统的芯片尺寸缩减也在放缓。因此,能够负担先进节点芯片设计的客户越来越少。finfet之后,集成电路将会怎么发展。

摘要：Synopsys日前宣布：其Galy^TMDesignPlatform设计平台支撑了90％基于finfet设计的量产流片。全球超过20家行业领导性企业已经使用该平台成功地完成了超过100次finfet流片。包括三星电子、英特尔代工部f-j、GlobalFoundries以及其它晶圆代工厂通过使用GalaxyDesignPlatform为共同的客户成功实现测试芯片和finfet量产流片，包括Achronix、GUC、海思半导体、美满电子、Netronome、英伟达、三星等，他们代表了多样化的应用市场，包括消费电子、无线通信、图形处理、微处理器和网络设备等领域。

摘要：Mentor宣布Mentor Calibre? nmPlatform和Analog FastSPICETM(AFSTM)Platform获得TSMC 12nm finfet Compact Technology（12FFC）和最新版本7nm finfet Plus工艺的认证。Nitro-SoCTM布局和布线系统也通过了认证,可以支持TSMC的12FFC工艺技术。TSMC设计基础架构营销部高级总监Suk

摘要：finfet技术是电子行业的下一代前沿技术,是一种全新的新型的多门3D晶体管。和传统的平面型晶体管相比,finfet器件可以提供更显著的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为＂三栅＂的finfet技术,同时许多晶圆厂也正在准备16纳米或14纳米的finfet工艺。虽然该技术具有巨大的优势,但也带来了一些新的设计挑战,它的成功,

摘要：2014年5月20日，全球电子设计企业Cadence设计系统公司宣布，立即推出基于台积电16nm finfet制程的DDR4 PHY IP（知识产权）。16nm技术与Cadence创新的架构相结合，可帮助客户达到DDR4标准的最高性能，亦即达到3200Mb／s的级别，相比之下，目前无论DDR3还是DDR4技术，

摘要：2012年8月14日，GLOBALFOUNDRIES和ARM在上海宣布已签订了一份多年期协议，旨在为采用GLOBAL—FOUNDRIE20nm与finfet工艺的ARM处理器设计提供优化的系统级芯片（SoC）解决方案。该协议将进一步拓展双方长期合作关系，并将合作领域扩展到在移动设备中重要性逐渐提高的图像处理器元件中。作为协议的一部分，

摘要：Cadence日前宣布，已与海思半导体（HiSilicon）签署合作协议，将于16nm finfet设计领域大幅扩增采用Cadence数字与客制／模拟流程，并于10nm和7nm工艺的设计流程上密切合作。

摘要：新思科技宣布与IBM携手,将设计与工艺联合优化应用于针对后finfet工艺的新一代半导体工艺技术.DTCO通过采用设计指标,在晶圆生产之前的早期探路阶段就能够有效评估并缩小范围选择出新的晶体管架构、材料和其他工艺技术创新.本次合作将当前新思科技DTCO工具流程扩展到新的晶体管架构和其他技术选项中,帮助IBM为其合作伙伴开发早期工艺设计套件（PDK）,让他们能够评估确定IBM先进节点带来的功耗、性能、面积和成本（PPAC）优势.

摘要：联华电子与全球半导体设计制造提供软件、IP与服务厂商新思科技（Synopsys）近日共同宣布，联华电子采用新思科技DesignWare@逻辑库的IP组合及GalaxyTM实作平台已成功完成了其第一个14纳米finfet制程验证工具的设计定案。