摘要：金属功函数波动作为器件制造过程中的主要工艺波动源之一,其波动变化对器件电学特性有极大的影响。本文提出一种简便、快速预测半导体场效应管金属功函数波动效应的方法,并将其与商业软件中计算功函数波动的统计阻抗场法进行对比分析。参考IBM公司发布的14 nm SOI finfet结构建立finfet器件仿真模型并与实验数据对比验证后,引入金属功函数波动,分别用统计阻抗场法与本文提出的快速预测方法计算得到对应随机波动下模型的阈值电压V_(th)、关断电流I_(off)、工作电流I_(on)等电学特性参数的随机分布及这些参数结果的期望值、标准差、极差等统计参数,通过两者结果对比验证了快速预测方法的准确性。

摘要：1 引言2.5D-IC集成技术克服了成本、片外带宽瓶颈、I/O引脚不足等2D技术的限制,并提供了一条通向真正的3D-IC集成技术的路径.我们有三个很好的理由开始将三维（3D）集成技术视为当今IC设计的一个严肃选项.首先,二维（2D-IC）集成技术正变得日益昂贵.采用20 nm finfet晶体管工艺和双重图形光刻技术制造一个100 mm2管芯的成本可能要比采用28 nm高K金属栅极工艺制造相同大小管芯的成本高出70％.

摘要：在半导体器件的研制过程中,用计算机数值模拟取代测量方法来优化设计器件的性能参数,则器件的调试周期将显著缩短,费用将大幅度降低。本文简述了新型纳米尺寸MOSFET器件模拟的主要物理模型和数值方法,阐述MOSFET相关器件模拟的国内外研究动态,判断其发展趋势和研究方向。

摘要：目前最先进的半导体制程是28nm，但已经有很多公司正在进行20nm甚至是16nm的研发。半导体产业面临很多挑战，比如设计尺寸和工艺窗口越来越小，对工艺控制要求越来越高。以往的半导体制程是平面的2D制程，现在3D的工艺，比如finfet正在走人大家的视线，制程的控制越来越难。在未来的3—4年里，DRAM和Flash也会有很多的创新，这对半导体检测和量测设备业者而言，除了带来庞大的商机外，更提出了新的要求。

摘要：KLA—Tencor公司日前针对7nm以下的逻辑和尖端内存设计节点推出了五款图案成型控制系统，以帮助芯片制造商实现多重曝光技术和EUV光刻所需的严格工艺宽容度。在IC制造厂内，AT一叠对量测系统和SpectraFilmTMF1薄膜量测系统可以针对finfet、DRAM、3DNAND和其他复杂器件结构的制造提供工艺表征分析和偏移监控。

摘要：日前,Achronix正式对外公布其Speedster22i FPGA系列的细节,该系列分为HD和HP两个产品系列,采用了英特尔22nm3D工艺制造,而在Achronix公布产品细节的前一天,英特尔也正式投产基于该工艺的产品。

摘要：基于finfet平台,阐述镶嵌式源漏区锗硅外延工艺L1种子层的优化,通过开发出循环式外延锗硅工艺,对L1种子层B浓度提升带来的选择性失效进行改善,消除掩膜层上生长的附着颗粒。透射电子显微镜下观察整个外延层,特征尺寸达到要求,沟槽内的填充饱满,能有效降低源漏区的接触电阻,从而使三维finfet器件的性能得到提升。

摘要：ARM与Cadence日前宣布，第一个高效能ARMCortex—A7处理器的14纳米测试芯片设计实现投人试产，预计将生产出高效低功耗的ARM处理器，且藉由Cadence RTL—to—signoff流程精心设计，这个芯片率先以Samsung14纳米finfet制程为目标，加速迈向高密度、

摘要：Cadence设计系统公司日前宣布流片了一款14纳米测试芯片，使用IBM的finfet工艺技术设计实现了一颗ARMCodex—MO处理器。这次成功流片是三家技术领先企业紧密合作的结果，他们一起建立了一个产品 体系，解决基于14纳米finfet的设计流程中内在的从设计到生产的过程中出现的新挑战。

摘要：ARM与台积电公司日前共同宣布首个采用finfet32艺技术生产的ARMCortex－A57处理器已成功流片。这项合作展现了双方在台积电公司的finfet工艺技术上，共同优化64位ARMv8处理器系列所打造的全新里程碑。借助ARM Artisan物理IP、台积电公司内存宏及开放创新平台（OIP）设计生态系统驱动的电子设计自动化（EDA）技术，双方在六个月内便完成了从RTL到流片的全部过程。