限定检索结果

检索条件"主题词=GaAs晶体"
3 条 记 录,以下是1-10 订阅
视图:
排序:
用于宽调谐太赫兹探测的菲涅耳相位匹配和频特性分析
收藏 引用
《中国激光》2010年 第12期37卷 2993-3001页
作者:崔海霞 姚建铨 王卓 万春明长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022 天津大学激光与光电子研究所天津300072 
论述了用于宽调谐太赫兹(THz)探测的菲涅耳准相位匹配技术方法的原理,讨论了共振及非共振菲涅耳相位匹配的条件,重点研究了Goos Hanchen延迟对菲涅耳准相位匹配的影响,还讨论了和频过程中有效非线性系数、光波在晶体内全反射角θ的允许...
来源:详细信息评论
gaas参量振荡产生太赫兹波的腔相位匹配研究
收藏 引用
《红外》2013年 第11期34卷 31-36页
作者:王翠玲 徐世林山东科技大学理学院太赫兹技术重点实验室青岛266590 
基于腔相位匹配的方法,研究了gaas微片状晶体构成的光学微腔光参量振荡产生太赫兹波的条件与参数设计。计算了腔相位匹配下gaas晶体的最优化腔长,通过调节gaas晶体的温度研究了太赫兹波的输出情况,模拟了不同波长下最低的能量阈值。结...
来源:详细信息评论
自旋极化电子源装置研究
收藏 引用
《科技广场》2005年 第2期 100-102页
作者:邓玲娜 刘义保 何为民东华理工学院物理系抚州344000 
自旋极化电子在许多研究领域有着广泛用途,目前国际上普遍采用光电离gaas晶体产生自旋极化电子。本文介绍自旋极化电子产生的原理及一种设计简洁、结构简单的极化电子源装置。该十字型四通道装置内有一非常简单的900静电偏转器,新型的...
来源:详细信息评论
聚类工具 回到顶部