摘要：We have investigated the distribution of the electric field in p-i-n gan avalanche photodiodes under different reverse bias values. type and separate absorption and multiplication （SAM） type We have also analyzed the influences of the parameters of each layer, including width and concentration, on the distribution of the electric field, especially on the breakdown voltage. It is found that a relatively high concentration of p-gan （higher than 1×10^18 cm-3） and low cartier concentration of i-gan （lower than 5×1016 cm-3） are helpful to restrict the electric field and reduce the breakdown voltage. In a SAM （p-i-n-i-n） structure, a suitable choice should be made for the concentration and thickness of the intermediate n-gan layer in order to decrease breakdown voltage and prevent the device from degenerating into a p-i-n structure. Finally, the optimized material parameters of each layer are proposed.

摘要：传统纹样是中国优秀传统文化的重要组成部分,传统人工设计已经无法满足纹样的现代设计需求,生成式AI为传统纹样设计提供了新的设计路径和方法。文章将生成式AI应用于传统纹样设计中,通过适配实验优选基于gan的Style gan和基于Diffusion的Stable Diffusion两种主流图像生成模型进行实验,采用技术分析与艺术分析相结合,对实验结果进行多角度、多维度对比分析,为设计师选择生成设计方法提供参照。实验结果表明,两个模型均能满足基本的艺术设计需求。Style gan模型生成的纹样图像更接近真实图像的分布,具有更高的图像质量和多样性;Stable Diffusion模型能较好地传承传统纹样的基因,艺术性与创造性兼具,更加符合传统纹样的艺术设计需求。

摘要：We report a new monolithic structure of gan-based light-emitting diode （LED） which can be operated under high voltage or alternative current. Differing from the conventional single LED chip, the monolithic lightemitting diode （MLED） array contains microchips which are interconnected in series or parallel. The key chip fabrication processing methods of the monolithic LED array include deep dry etching, sidewall insulated protec- tion, and electrode interconnection. A 12 V gan-based blue high voltage light emitting diode was designed and fabricated in our experiment. The forward current-voltage characteristics of MLEDs were consistent with those of conventional single junction light emitting diodes.

摘要：Betavoltaic radioisotope microbatteries have gradually become the research direction of micro-power sources because of their several advantages,including small scale,stable output performance,long service life,high energy density,strong anti-jamming capability,and so *** on the theory of semiconductor physics,the current paper presented a design scheme of isotope microbattery with wide-gap semiconductor material gan and isotope *** consideration of the isotope's self-absorption effect,the current paper studied and analyzed the optimization thickness of semiconductor and isotope source,junction depth,depletion region thickness,doping concentration,and the generation and collection of electron hole pairs with simulation of transport process of beta particles in semiconductor material using Monte Carlo simulation program *** the proposed design scheme,for a single decay,an average energy of 28.2 keV was deposited in the gan,and the short circuit current density,open circuit voltage,and efficiency of a single device were 1.636 μA/cm2,3.16 V,and 13.4%,respectively.

摘要：文章阐述了用精确的gan Angelov模型设计了一款L波段400W内匹配率放大器.选用SiC衬底的gan器件是为了获得大功率输出以及高效率性能.为了精确设计放大器,采用脉冲I-V测试和多偏置的S参数测试建立起高压gan大信号模型.采用模型设计的gan放大器输入输出电路集成在17.4mm×24mm的封装管壳里.最终采用单枚55mm栅宽gan管芯设计的放大器在48V漏压,100μs脉宽,10%占空比偏置下在1.2~1.4GHz输出功率大于400W,功率增益大于15dB,最高功率附加效率达到81.3%,这是国内L波段400W微波功率放大器的最高效率报道,验证了模型的准确度,实现了极好的电路性能.

摘要：阐述了基于gan HEMT的宽带平衡功率放大器的设计与实现方法:采用Lange耦合器构建平衡功率放大器结构,采用多节阻抗匹配技术设计输入/输出匹配网络,实现功放宽带特性(1.5-3.5GHz);采用与Si热膨胀系数接近的AlSiC散热载片,克服管芯与载片热稳定系数不同引起的热稳定问题,并采用脉冲工作模式进一步减小功放发热量.制作实际功放模块用于测试,在1.5-3.5GHz频带内,功放线性增益大于12dB,增益平坦度为±0.4dB,饱和输出功率大于8W,漏极效率为56%-65%.实验测试结果与设计仿真结果有较好一致性,验证了设计方法的正确性.

摘要：gan基高电子迁移率晶体管(HEMT)因具有高输出功率密度、高工作频率、高工作温度等优良特性,在高频大功率等领域具有广泛应用前景。目前,HEMT器件在材料生长和工艺制备方面都取得了巨大的进步。但是,由缺陷产生的陷阱效应一直是限制其发展的重要原因。本文首先论述了HEMT器件中的表面态、界面缺陷和体缺陷所在位置及其产生的原因。然后,阐述了由陷阱效应引起的器件电流崩塌、栅延迟、漏延迟、Kink效应等现象,从器件结构设计和工艺设计角度,总结提出了改善缺陷相关问题的主要措施,其中着重总结了器件盖帽层、表面处理、钝化层和场板结构4个方面的最新研究进展。最后,探索了gan基HEMT器件在缺陷相关问题上的未来优化方向。

摘要：人工智能的时代背景下,在技术创新的驱动下诞生了新的艺术媒介,艺术媒介的革新带来了更多元的艺术创作空间。gan作为深度学习模型将传统艺术创作的方式进行了自动化,利用gan进行艺术创作的流程与摄影具有高度的相似性,是对艺术生产力的再度解放。艺术家一旦参与进gan的构建与创作中,其与艺术作品间的关系也会发生转变。gan应用所带来的艺术伦理的改变将会在讨论声中逐渐创立艺术的新秩序。

摘要：针对服务机器人室内定位精度差、设备昂贵等问题,提出了基于生成对抗网络(gan)的服务机器人室内WiFi云定位系统.首先,详细设计了云定位系统的整体架构,提出了基于gan的回归无线定位方法,采用gan对网络参数进行预训练,从海量的数据源中归纳、提取定位价值特征,避免了传统算法因为需要人为指定特征而导致的低精确度问题;其次,通过全连接神经网络反向传播方法对网络参数进行全局优化;最后,针对无线信号波动所造成的定位离散问题,利用卡尔曼滤波滤除跳点,从而使实时定位更加平缓准确.大量实验及应用结果表明,基于gan的定位算法与传统定位算法相比,大幅度提高了服务机器人无线定位的精度,平均定位误差优于0.29 m,满足服务机器人对定位的需求.

摘要：在Ingan/gan异质结构量子阱内存在巨大的压电极化场,这严重地削弱了量子阱的发光效率.为了减弱量子阱内的压电极化场,通常引入应变调制插入层提升器件的发光性能.为了研究Ingan/gan超晶格的应变调制效果和机理,实验设计制备了具有n型Ingan/gan超晶格插入层的外延结构及其对照样品.变温光致发光谱测试表明引入n型Ingan/gan超晶格插入层的样品发光波长更短且内量子效率提升,相应的电致发光谱积分强度也显著增加且半宽减小,说明引入超晶格应变插入层可以在一定程度上抑制影响发光效率的量子限制Stark效应.理论计算结果表明:在生长有源区量子阱前引入超晶格应变层,可以削弱有源区量子阱内极化内建电场,减弱有源区量子阱能带倾斜,增加电子空穴波函数交叠,提高发射几率,缩短辐射复合寿命,有利于辐射复合与非辐射复合的竞争,实现更高的复合效率,从而提高发光强度.本文从实验和理论两方面验证了超晶格应变调制插入层可以有效改善器件性能,为器件的结构设计优化指明方向.