摘要：gan基led的电流横向扩展导致电流分布不均匀的现象仍是目前亟待解决的难题,对于高压倒装led更是如此。传统的led工艺把负电极直接制作在n-gan材料表面,而提出的优化结构是负电极内嵌于n-gan材料。首先通过led电流扩展的简单建模来探讨器件内部的电流分布情况,得出优化结构有利于改善芯片内部电流分布的理论推导。再进一步用SILVACO软件对优化结构和传统结构芯片内部电流分布进行了仿真对比,结果表明前者电流密度仅为后者的55%。最后制作了相关led芯片样品进行热阻测试对比,实验表明优化结构芯片的结温和热阻较传统结构分别下降了13%和26%。可见芯片结构的优化设计方案是有效可行的。

摘要：对gan基TFT-led有源阵列显示芯片结构进行了优化设计,并详细介绍了它的工作原理。文中采用Cadence公司的Virtuoso Spectre Circuit Simulator软件,通过设计芯片像素单元TFT晶体管的参数,研究了阵列芯片中led的输出电流波形。仿真结果显示通过阵列芯片中led电流达到了54.86mA,为芯片提供了足够的导通电流。研究结果表明TFT-led有源阵列显示芯片结构的优势在于减少外围设备的同时增大导通电流。

摘要：基于时域有限差分法(FDTD)在gan基led表面分别生长了ZnO柱状与锥状微纳结构,并利用Rsoft模拟仿真软件分析了两种结构的几何参量(排列周期p、高度H、底面直径D等)对gan基led光提取效率的影响。结果表明两种结构均可提高器件的光提取效率,柱状结构在H=0.25μm,p=1.5μm,D=0.9μm时表现最优,其光提取效率是未加任何结构平板led的5.6倍;而锥状结构在H=0.6μm,p=1.4μm,D=1.4μm时表现最优,其光提取效率是未加任何结构平板led的5.3倍。研究结果对高性能gan基led的设计与制备具有一定指导意义。

摘要：随着Ⅲ族化合物半导体技术的发展,以氮化镓(Gallium Nitride,gan)为代表的氮化镓及其多元化合物作为发光材料受到人们极大的关注。通过调节Ⅲ族化合物的组分比例,其发光波长可覆盖整个可见光区域与部分红外及紫外区域,因此,Ga N基发光二极管(light emitting diodes, led)在各个领域有着广阔的应用。led技术的进步激发了室内环境设计更多新的理念,本文主要介绍Ga N基led在室内环境中应用方面的进展,包括蓝光led及紫外led在室内环境中的应用,并分析目前制约其在室内环境应用中的问题。

摘要：随着电子技术的不断发展，静电防护技术不断提高，无论是在led器件设计上，还是在生产工艺上，抗ESD能力都有明显的进步，但是，gan基led毕竟是ESD敏感器件，静电防护必须渗透到生产全过程。

摘要：为了解决由于极化效应引起的漏电流影响发光效率的问题,以k.p理论为基础建立多量子阱模型,分析研究了gan基led中不同的Ingan/Ingan多量子阱发光层势垒结构。基于化合物半导体器件的电学、光学和热学属性的有限元分析,设计与优化多量子阱中靠近P型Algan电子阻档层倒数第二层势垒,显著提高了光输出功率,减少漏电流.数值模拟分析表明,改良多量子阱势垒能够大幅提高高亮度、高功率器件结构光电特性。