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gan基电力电子器件关键技术的进展: 收藏
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引用; 《电源学报》2019年第3期17卷 4-15页; 作者：彭韬玮王霄敖金平西安电子科技大学微电子学院; 氮化镓gan(gallium nitride)材料非常适合应用于高频、高功率、高压的电子电力器件当中。目前,gan功率电子器件技术方案主要分为Si衬底上横向结构器件和gan自支撑衬底上垂直结构器件2种。其中,横向结构器件由于制造成本低且有良好的互...; 氮化镓gan(gallium nitride)材料非常适合应用于高频、高功率、高压的电子电力器件当中。目前,gan功率电子器件技术方案主要分为Si衬底上横向结构器件和gan自支撑衬底上垂直结构器件2种。其中,横向结构器件由于制造成本低且有良好的互补金属-氧化物-半导体CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)工艺兼容性已逐步实现产业化,但是存在材料缺陷多、常关型难实现、高耐压困难以及电流崩塌效应等问题;垂直结构器件能够在不增大芯片尺寸的条件下实现高击穿电压,具有非常广阔的市场前景,也面临着材料生长、器件结构设计和可靠性等方面的挑战。基于此,主要针对这两种器件综述介绍并进行了展望。; 来源：详细信息评论

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