摘要：从Algan/gan沟道阱电子状态出发,深入研究了ganHFET研究中的钝化和场板电极。提出了用低、高Al组分比势垒制成复合势垒,来抬高势垒和增大势垒宽度,强化沟道阱的量子限制。强调了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的重要作用。依据内沟道、外沟道和欧姆接触对势垒的不同要求设计出二维异质结构。通过特殊的异质结构设计和后工艺剪裁制成了满足肖特基势垒和欧姆接触的两种不同的异质结构。把优质Si3N4钝化膜同复合势垒结合起来塑造出满足外沟道要求的异质结构,从而实现了HFET二维异质结构的优化设计。证实了这种新沟道阱中的电子在三种不同栅压下的强二维特性,强调了背场板和背势垒在器件研究中的重要作用。

摘要：gan Erke was born in 1955 in Huangshan, Anhui Province. Today, gan has considerable expertise in painting, carpentry, carving, and traditional lacquer techniques. Over the last three decades he has been instrumental in revitalizing the Huizhou "pineapple lacquer" tradition. gan has also played an important role in bringing a local strand of lacquer inkslab art back from the brink of extinction.

摘要：研究了ganHFET中沟道热电子隧穿到表面态及表面态电子跃迁到表面导带两种跃迁过程及其激活能.从沟道热电子隧穿过程出发,提出了新的电流崩塌微观模型.用该微观模型解释了光离化谱、DLTS、瞬态电流及电流崩塌等各类实验现象.研究了各种异质结构的不同电流崩塌特性,在此基础上讨论了无电流崩塌器件的优化设计.

摘要：人像提取是当前图像处理方向的前沿热点问题,具有广泛的应用前景,但面临着边缘噪声大、颜色相近的区域分割效果差等问题。本文针对该问题创造性地提出了BiSegan网络,研究并实现了一种人像自动提取与处理的方法。此方法以生成对抗网络(gan)框架为基础,采用BiSeNet结构作为生成器网络进行训练,兼顾了空间分辨率和感受野,提高了模型的识别速度和精度。本文使用混合损失函数共同优化网络参数,帮助模型快速收敛,使生成器生成更真实的目标图像。本文实现了自动化提取并处理人像,提取的人像部分边缘分割清晰,信噪比高,有效地优化了人像提取的准确度。而后,基于百度飞浆在移动端部署实现。

摘要：在Ingan/gan多量子阱(MQW)中存在较大的压电极化场,由此引起的量子限制斯塔克效应(QCSE)会造成电子空穴的辐射复合率下降。设计生长了具备Ingan应变层的MQW结构以减弱极化场,并进行了变温、变激发强度的光致发光谱实验,结果表明,引入应变层后的M QW内量子效率有所提高。对峰值能量蓝移量的分析表明,应变层有效减弱了QCSE,明显增加了对应电致发光谱的峰值强度。验证了Ingan应变插入层具有应力凋制的作用,有利于提高MQW的发光效率,改善器件性能。

摘要：分布式放大器结构是一种能够实现极宽带宽的放大电路结构。不过由于晶体管自身功率密度的限制,分布式放大器大多用于小信号放大器的设计中。第3代宽禁带半导体gan具有击穿场强高、输出功率密度大的优点,随着gan晶体管的发展成熟,将其应用于分布式放大器结构中能够实现宽带功率放大器。本文采用4个gan HEMT(高电子迁移率晶体管)分立器件进行分布式功率放大器设计,并以混合集成电路工艺加工,实现了0.3～2.5GHz的多倍频程宽带功率放大器。最终得到的测量结果显示,功率放大器在0.3～2.5GHz的频带内,饱和输出功率大于39dBm,线性增益大于8dB,最大PAE大于15%。

摘要：本文基于国产SiC衬底的0.25um gan HEMT工艺,采用两级放大结构设计了一款2-6GHz的宽带高效率gan MMIC功率放大器。通过采用带通匹配结构,并综合利用电抗补偿技术,使得设计的该MMIC功率放大器在2-6GHz范围内,输出功率大于36d Bm,增益大于21d B,功率附加效率(PAE)大于41%,其中输入功率为15d Bm,Vgs1=-1.5V,Vgs2=-2V,Vds=28V。整体版图尺寸3.5×2.4mm。

摘要：基于先验的图像去雾算法依赖于大气散射模型,易受环境影响出现去雾不彻底、颜色失真等现象,针对上述问题本文基于深度学习,提出一种多尺度密集感受域的gan图像去雾算法。首先构建一个多尺度学习的生成器网络,通过3种不同尺度提取图像的局部细节和全局信息后进行特征融合;然后通过感受密集块来增大感受野并获得丰富的上下文信息,将提取到的特征图在多个感受密集块中对特征进一步细化;接着使用一个多尺度的gan判别器,由2个相同的子判别器D1和D2组成,2个子判别器联合指导生成器的训练;最后本文结合L1损失、感知损失和对抗损失,设计一个多元损失函数来收敛网络。在SOTS测试集上进行主观评价和客观评价,实验结果表明,本文算法取得了较优的效果,有效改善去雾不彻底的现象。

摘要：着眼小型化、大功率,对宽禁带半导体中的gan功率器件的宽带内匹配技术进行了研究。基于国产的gan功率器件,采用切比雪夫宽带匹配理论,研制了一款工作频率覆盖2 GHz~6 GHz的宽带功率放大器,在设计过程中重点关注了功率放大器在各种工作条件下的稳定性。测试结果表明在漏源电压为36 V,连续波条件下,在2 GHz~6 GHz的带宽内实现了输出功率全部大于100 W,功率平坦度小于1.0 dB,功率附加效率大于38%,最高点达到了45%。

摘要：采用正交实验设计方法设计p型gan的生长，通过较少的实验，优化了影响p型gan性质的三个生长参数：Mg流量、生长温度和Ⅴ／Ⅲ比．过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ／Ⅲ比都会降低自由空穴浓度.还研究了退火温度对p型gan的载流子浓度和光学性质的影响．实验结果表明，700～750℃范围为最佳退火温度.