摘要：介绍了一种高效F3/E类功率放大器的设计方法,该放大器将F类功率放大器的谐波控制电路引入逆E类功率放大器的负载网络,以改善放大器性能。此电路结构提升了放大器的功率输出能力,降低了电路对功率放大器管器件漏极耐压特性的要求,增强了器件工作时的安全性。详细阐述了该放大器的设计过程,并给出了负载网络各器件的最佳设计取值方程。选用ganHEMT器件研制了S频段F3/E类功率放大器测试电路。实测结果表明该放大器在驱动功率为27 dBm时,可获得40.3 dBm的输出功率,具有13.3 dB增益,工作效率高达78.1%,功率附加效率为75.2%。实测结果与仿真结果吻合,验证了设计方法的正确性。

摘要：介绍了一种6-18 GHz超宽带脊波导合成结构。该脊波导合成结构包括微带到脊波导的过渡结构、E面T型脊波导合成结构和H面T型脊波导合成结构。基于该脊波导合成结构,采用8只gan MMIC功率芯片,设计了一款超宽带固态合成功率放大器,测试结果表明在6~18 GHz的频带内,固体合成功率放大器连续波输出功率达90 W以上,合成效率大于90%,功率附加效率大于15%。

摘要：本文使用Sentaurus仿真工具对恒定掺杂和渐变掺杂两种典型掺杂的gan太赫兹肖特基变容二极管进行了仿真研究。着重研究了两种掺杂方式下轻掺杂外延层掺杂浓度对变容二极管的C-V特性和倍频效率的影响。通过数字滤波求解输入频率300GHz幅值8V的正弦电压在偏置电压为-8V时产生的各频率分量,计算出具有不同掺杂浓度的gan二极管的倍频效率。结果显示,在仿真掺杂浓度范围内并且不考虑外围电路影响的前提下,恒定掺杂的gan变容二极管的二倍频效率最大值为32.5%,三倍频效率最大值为16.1%;而采用渐变掺杂方式能够显著提高二极管的倍频效率,在仿真的掺杂浓度范围内,二倍频与三倍频效率均最大能提高50%左右。通过理论推导和仿真结果的计算揭示了决定掺杂浓度与倍频效率之间的关系变化趋势的内在因素。本文的研究对gan肖特基变容二极管的倍频效率进行了理论预测,并提出了渐变掺杂提高倍频效率的解决方案,这对后续的器件设计与制备具有指导意义。

摘要：文章分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长gan单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响gan结晶质量的主要因素。在此基础上,设计了一套由80C31单片机为核心的光电隔离电路和PC机组成的两级系统,用于gan薄膜外延生长的工艺流程监控,并提出了一种合适的工艺流程监控策略。

摘要：基于特制的无台面Algan/gan HEMT,设计了一种实验方法,用以研究Algan/gan外延表面陷阱态间的电荷输运过程。经实验证实,在器件电流崩塌效应中,存在表面陷阱电荷输运,并确定了相关时间常数。针对应力后电流崩塌驰豫过程,实验监测到小于0.1 s和大于10 s两类时间常数,其中较大的常数对应于表面陷阱电荷的输运过程。此结论可望用于对Algan/ganHEMT电流崩塌效应进一步的理论探索和相关的器件研究。

摘要：近几年来,蓝宝石图形衬底(PSS)制备工艺技术已成为国内外研究gan基发光二极管(LED)的热点问题.该技术不仅能够降低gan外延缺陷和位错密度,还能够有效提高LED的光提取效率.为了获得均匀性好的PSS及操作简便、成本较低的制备方法,采用湿法腐蚀方式研制C面蓝宝石图形衬底;利用自主设计的高温腐蚀系统,在硫酸和磷酸配比为3:1,加热280℃的条件下,腐蚀40分钟得到深度大于2μm的规整图形结构,具有极高的图形占空比;分析了时间、温度、腐蚀深度等因素与腐蚀速率的关系,对PSS结构设计和实现具有参考意义.

摘要：今年4月，武汉迎来了一场文化盛宴，只是它被笼罩在“汉马”的光环之下，显得不那么为众人所知，但在爱好者的眼中，几乎再没有什么比这件事情更有魅力。

摘要：基于gan HEMT工艺成功研制出一款宽带六位数字衰减器,衰减范围为0~31.5 dB。通过研究gan HEMT开关器件模型及电阻式衰减网络,选取合适的衰减器拓扑,减小了衰减器的插入损耗,提高了衰减精度,缩小了芯片尺寸。测试结果表明,在2~18 GHz频带内,该衰减器的插入损耗小于4.8 dB,64态衰减精度均方根误差小于0.6 dB,输入回波损耗小于-13 dB,输出回波损耗小于-12.5 dB,附加相移为-14°~4°。在10 GHz下,其1 dB压缩点输入功率达到34.5 dBm。裸片尺寸为2.30 mm×1.10 mm。

摘要：简要介绍了第3代新型半导体材料gan的特点和优势,基于Agilent ADS微波仿真软件设计并实现了一款工作于S波段基于gan的高效超宽带微波功率器件。测试结果表明,该器件适用于2.7 GHz^3.5 GHz的超宽带,连续波和脉冲制式均可工作,在饱和状态下,输出功率大于15 W,增益达到13 d B,漏极效率超过45%,并在管壳内部实现了匹配和偏置电路,对gan MOSFET微波功率器件小型化、超宽带、高增益和高效率的优异性能得以验证和实现。

摘要：在不进行合金化的情况下,首次直接采用TiAl3合金材料作为金属接触电极。在蓝宝石衬底上生长的n型载流子浓度为2×1018cm-3的gan上,成功地得到低接触电阻的欧姆接触,并由环形传输线模型方法测得比接触电阻率为3×10-5Ω·cm2。与通常n型欧姆接触采用的Ti/Al双层结构比较,TiAl3合金结构更容易形成非合金化的n型欧姆接触。在此实验基础上,进一步分析了N空位和界面层处的TiAl3在形成非合金化或低温退火欧姆接触中发挥的作用,由此设计的Ti/TiAl3/Ni/Au接触结构,在TiAl3合金结构基础上明显地降低了接触电阻率。