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基于改进Skip-gan的高速铁路巡检图像异常检测
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《铁道学报》2024年 第9期46卷 121-128页
作者:何庆 刘震 王启航 张岷 王平西南交通大学土木工程学院四川成都610031 西南交通大学高速铁路线路工程教育部重点实验室四川成都610031 中铁第一勘察设计院集团有限公司陕西西安710043 
针对高速铁路探伤巡检过程中普遍存在的训练样本不平衡和打标签复杂等问题,提出一种改进的Skip-gan算法,对巡检图像中存在的多类病害进行无监督检测。对高速铁路巡检图像进行预处理,包括轨道板分割和数据增强,减少排水沟和明暗环境对网...
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1~4GHz 80W gan超宽带功率放大器
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《电子学报》2019年 第8期47卷 1803-1808页
作者:杨文琪 钟世昌 李宇超南京电子器件研究所 
基于南京电子器件研究所0.25μmganHEMT工艺平台,设计了一款工作频率为1~4GHz,连续波输出功率大于80W的超宽带功率放大器.放大器采用低通L-C匹配网络实现管芯输入输出阻抗到实阻抗的变换;并利用切比雪夫变换器结构实现超宽带匹配;以单...
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具有场板结构gan HEMT电场分布解析模型
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《电子科技大学学报》2008年 第2期37卷 297-300页
作者:杜江锋 赵金霞 伍捷 杨月寒 武鹏 靳翀 陈卫电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 
基于具有场板结构gan HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,gan HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可...
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结构参数对gan肖特基紫外探测器性能的影响及器件设计
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《发光学报》2009年 第6期30卷 824-831页
作者:周梅 赵德刚中国农业大学理学院应用物理系北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 
研究了gan肖特基结构(n--gan/n+-gan)紫外探测器的结构参数对器件性能的影响机理。模拟计算结果表明:提高肖特基势垒高度和减小表面复合速率,不仅可以增加器件的量子效率,而且可以极大地减小器件的暗电流;适当地增加n--gan层厚度和载流...
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F离子注入新型Al_(0.25)Ga_(0.75)N/gan HEMT器件耐压分析
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《物理学报》2012年 第22期61卷 402-408页
作者:段宝兴 杨银堂 陈敬西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 香港科技大学电子与计算机工程系 
为了缓解Algan/gan high electron mobility transistors(HEMT)器件n型gan缓冲层高的泄漏电流,本文提出了具有氟离子注入新型Al0.25Ga0.75N/gan HEMT器件新结构.首先分析得出n型gan缓冲层没有受主型陷阱时,器件输出特性为欧姆特性,这样...
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MOCVD反应室流场分析及其对gan生长的影响
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《西安电子科技大学学报》2017年 第1期44卷 171-175页
作者:冯兰胜 过润秋 张进成西安电子科技大学机电工程学院陕西西安710071 西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 
为了优化设计金属有机[化合物]CVD反应室,以生长出高质量的gan材料,对一种垂直喷淋式金属有机[化合物]CVD系统中生长gan材料的生长过程进行了模拟.模拟结果表明,反应室中衬底石墨基座的旋转速度和反应室的高度对gan生长过程中的气相传...
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Analysis of Drain Modulation for High Voltage gan Power Amplifier Considering Parasitics
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《Transactions of Nanjing University of Aeronautics and Astronautics》2022年 第5期39卷 521-529页
作者:CHEN Xiaoqing CHENG Aiqiang ZHU Xinyi GU Liming TANG ShijunMicrowave Power Devices DepartmentNanjing Electronic Devices InstituteNanjing 210016P.R.China 
For high-voltage and high-power Gallium Nitride(gan)power amplifiers,a drain modulation circuit with rapid rise and fall time is proposed in this *** decrease the rise and fall time,the high-side bootstrap drive circu...
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512元gan基紫外线列阵探测器信息获取技术
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《红外与激光工程》2009年 第3期38卷 559-564页
作者:徐冲 尹达一 方四安 张燕 刘大福 李向阳 冯旗中国科学院上海技术物理研究所上海200083 中国科学院研究生院北京100039 
信息获取技术是紫外探测技术中的关键组成部分之一,以上海技术物理研究所研制出的512元gan基紫外线列阵探测器为核心,在深入分析其工作原理及特点的基础上,研究了对应的信息获取原理与方法,并完成了信息获取系统的设计与实现。实验结果...
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截止频率0.8 THz的gan肖特基二极管及其设计
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《固体电子学研究与进展》2022年 第1期42卷 10-15页
作者:代鲲鹏 张凯 李传皓 范道雨 步绍姜 吴少兵 林罡 陈堂胜南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 
通过设计圆形阳极以及相同面积不同周长的指形阳极,研究了不同阳极周长面积比对太赫兹频段内gan肖特基二极管串联电阻的影响。在阳极面积分别为7.1、12.6、19.6μm^(2)时,采用圆形阳极的二极管串联电阻分别为14、11、6Ω。相同面积下采...
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便携式紫外gan相机与海洋应用初步验证
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《光电工程》2010年 第10期37卷 134-138页
作者:钱炜峰 尹达一 陶邦一 詹远增 黄小仙 黄星 李玉敏中国科学院上海技术物理研究所上海200083 中国科学院研究生院北京100039 国家海洋局第二海洋研究所杭州310012 
本文对国内最新研制的256×1元gan基紫外探测器的原理和特点进行了分析与介绍,研究了对应的信息获取原理与方法,完成了信息获取系统的设计与实现,阐述了基于256×1元gan基紫外探测器的便携式紫外线阵相机的设计过程,完成了相机...
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