摘要：压电半导体(PSC)结构在工程应用中不可避免地受电流、应力场等共同作用,多场应用环境往往导致其发生复杂的变形、断裂失效等问题。通过引入影响特征裂纹长度的电流参数,建立了压电半导体在力电流联合载荷作用下断裂行为的预测模型。经力电流联合载荷实验验证,该模型预测范围涵盖了所有强度和断裂实验数据点,表明其可以有效地预测压电半导体的准脆性断裂行为。系统研究了电流载荷对压电半导体准脆性断裂行为的影响,为复杂环境下gan构件的可靠性设计提供了一定的理论及数据支撑。

摘要：红外和可见光图像的融合可以获得更为全面、丰富的信息。由于没有真实融合图像作参考,现有的融合图像数据集缺少融合图像作为监督条件,基于监督学习的训练方法无法应用于图像融合,现有的融合网络都是尽可能地在两个模态间找到平衡,因此提出一种基于环境光传输模型的多模态图像合成方法。基于NYU-Depth有标签数据集和其深度标注信息合成一组带有参考融合图像的红外和可见光多模态数据集,在条件gan中设计边缘和细节损失函数,用合成的多模态图像数据集以端到端的方式训练该网络,最终获得一个融合网络。该网络可以使融合图像较好地保留可见光图像的细节和红外图像的目标特征,锐化红外图像热辐射目标的边界。在TNO公开数据集上与主流的IFCNN,DenseFuse,Fusiongan等方法对比,通过主观和客观的图像质量评价检验了该方法的有效性。

摘要：文章阐述了用精确的gan Angelov模型设计了一款L波段400W内匹配率放大器.选用SiC衬底的gan器件是为了获得大功率输出以及高效率性能.为了精确设计放大器,采用脉冲I-V测试和多偏置的S参数测试建立起高压gan大信号模型.采用模型设计的gan放大器输入输出电路集成在17.4mm×24mm的封装管壳里.最终采用单枚55mm栅宽gan管芯设计的放大器在48V漏压,100μs脉宽,10%占空比偏置下在1.2~1.4GHz输出功率大于400W,功率增益大于15dB,最高功率附加效率达到81.3%,这是国内L波段400W微波功率放大器的最高效率报道,验证了模型的准确度,实现了极好的电路性能.

摘要：针对第三代半导体材料氮化镓(gan)光电化学机械抛光的加工需求,研制了具有紫外光照射、电压加载和机械抛光功能的光电化学机械抛光(PECMP)装置。设计了紫外光可直接照射到gan晶片表面的抛光盘单元,加工区稳定加载电压且与装置绝缘的电气回路,抛光盘和工件盘能够独立回转的驱动机构,并且抛光盘可以往复移动、抛光压力可以可调加载。建立了PECMP装置的整机三维模型,通过静力学分析和模态分析,优化了抛光盘和龙门等关键部件结构。搭建了PECMP抛光装置,并进行了性能测试,实现了可施加的光照强度0~200 mW·cm^(−2),电压大小0~10±0.1 V,绝缘电阻150 MΩ,抛光盘转速10~100 r/min,工件转速10~200 r/min,抛光盘往复移动速度1~100 mm/s,压力加载范围0~200 N,满足2英寸gan晶片的PECMP加工需求。

摘要：阐述了基于gan HEMT的宽带平衡功率放大器的设计与实现方法:采用Lange耦合器构建平衡功率放大器结构,采用多节阻抗匹配技术设计输入/输出匹配网络,实现功放宽带特性(1.5-3.5GHz);采用与Si热膨胀系数接近的AlSiC散热载片,克服管芯与载片热稳定系数不同引起的热稳定问题,并采用脉冲工作模式进一步减小功放发热量.制作实际功放模块用于测试,在1.5-3.5GHz频带内,功放线性增益大于12dB,增益平坦度为±0.4dB,饱和输出功率大于8W,漏极效率为56%-65%.实验测试结果与设计仿真结果有较好一致性,验证了设计方法的正确性.

摘要：采用0.15μm栅长gan高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款Ka波段大功率、高效率功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。电路采用三级放大结构,在输入、输出端采用Lange耦合器进行功率分配和合成,输入匹配网络加入RC稳定结构以提升电路稳定性,末级器件采用改进型电抗式Bus-bar总线合成匹配网络,在保证各路平衡性的同时,调整器件电压和电流波形,提高电路的输出功率和功率附加效率。测试结果表明,在34~36 GHz频带内,放大器MMIC的饱和输出功率达到40 W,功率增益达到18 dB,功率附加效率达到30%。该功率放大器可有效改善毫米波发射系统的信号传输距离和作用精度。

摘要：为了实现可见光入射时亚波长尺度内的聚焦,设计了以氮化镓(gan)纳米柱为基本晶胞的超透镜,该透镜能够改进传统成像系统的笨重低效,可应用于微型成像系统。超透镜表面由宽度渐变高度不变的gan纳米柱阵列构成,分析gan在亚波长尺度内对相位的调控能力和机理,并基于时域有限差分法模拟仿真了在蓝光波长为460nm入射时透射场的高效率聚焦,对比超透镜尺寸为3.75μm×3.75μm、6.75μm×6.75μm、8.75μm×8.75μm、10.75μm×10.75μm时超透镜的聚焦能力,得出聚焦后透射场焦点处的半峰全宽分别为1,0.8,0.5,0.3μm,给出了强度分布、聚焦光斑等仿真模拟结果,发现实际焦距与设计值存在偏差,且随超透镜尺寸的变化而变化。文中所设计的超透镜能够在微米级别实现聚焦,有效降低了传统成像系统的复杂度。

摘要：gan基高电子迁移率晶体管(HEMT)因具有高输出功率密度、高工作频率、高工作温度等优良特性,在高频大功率等领域具有广泛应用前景。目前,HEMT器件在材料生长和工艺制备方面都取得了巨大的进步。但是,由缺陷产生的陷阱效应一直是限制其发展的重要原因。本文首先论述了HEMT器件中的表面态、界面缺陷和体缺陷所在位置及其产生的原因。然后,阐述了由陷阱效应引起的器件电流崩塌、栅延迟、漏延迟、Kink效应等现象,从器件结构设计和工艺设计角度,总结提出了改善缺陷相关问题的主要措施,其中着重总结了器件盖帽层、表面处理、钝化层和场板结构4个方面的最新研究进展。最后,探索了gan基HEMT器件在缺陷相关问题上的未来优化方向。

摘要：针对服务机器人室内定位精度差、设备昂贵等问题,提出了基于生成对抗网络(gan)的服务机器人室内WiFi云定位系统.首先,详细设计了云定位系统的整体架构,提出了基于gan的回归无线定位方法,采用gan对网络参数进行预训练,从海量的数据源中归纳、提取定位价值特征,避免了传统算法因为需要人为指定特征而导致的低精确度问题;其次,通过全连接神经网络反向传播方法对网络参数进行全局优化;最后,针对无线信号波动所造成的定位离散问题,利用卡尔曼滤波滤除跳点,从而使实时定位更加平缓准确.大量实验及应用结果表明,基于gan的定位算法与传统定位算法相比,大幅度提高了服务机器人无线定位的精度,平均定位误差优于0.29 m,满足服务机器人对定位的需求.

摘要：人工智能的时代背景下,在技术创新的驱动下诞生了新的艺术媒介,艺术媒介的革新带来了更多元的艺术创作空间。gan作为深度学习模型将传统艺术创作的方式进行了自动化,利用gan进行艺术创作的流程与摄影具有高度的相似性,是对艺术生产力的再度解放。艺术家一旦参与进gan的构建与创作中,其与艺术作品间的关系也会发生转变。gan应用所带来的艺术伦理的改变将会在讨论声中逐渐创立艺术的新秩序。