摘要：本文对国内最新研制的256×1元gan基紫外探测器的原理和特点进行了分析与介绍,研究了对应的信息获取原理与方法,完成了信息获取系统的设计与实现,阐述了基于256×1元gan基紫外探测器的便携式紫外线阵相机的设计过程,完成了相机信噪比测试和外景成像试验。通过与海洋相关研究所合作,实地进行了相机的出海搭载试验,成功获取了海面的紫外图像数据。实验结果表明:海面图像清晰,纹理丰富,为相机便携出海作业和海洋环境监测应用做出了探索性的工作。

摘要：为开拓学生的科学眼界,针对氮化镓(gan)材料的制备及表征,设计了一个综合性教学实验。首先,利用化学气相沉积法和分子束外延法分别制备了一维纳米线和纳米柱;其次,采用X射线衍射仪、拉曼光谱仪和扫描电子显微镜对两种gan样品的结构和形貌进行表征,并研究了生长温度对其表面形貌的影响。通过综合实验设计,学生不仅能够将《材料现代测试方法》等理论课程所学知识与实验相结合,而且在了解相关材料应用前沿的同时提高自身的综合实践能力,激发对科研的兴趣,从而为将来从事科研工作打下基础。

摘要：有桥Boost PFC变换器拓扑因整流桥的存在而影响了转换效率的提升;图腾柱无桥拓扑在输入电压换向时需改变主控管致使线电流过零处存在较大的尖峰。为此,研究嵌入谐振模态的混合型无桥PFC拓扑,以消除图腾柱PFC在输入电流过零点的尖峰,实现正负半周的平滑切换。分析了变换器在连续导电模式(CCM)的工作原理并进行了参数设计,研制出一台300 W基于gan器件的混合谐振PWM无桥PFC变换器的实验样机,实验结果验证了理论分析的正确性。

摘要：采用传输矩阵法对gan基蓝光发光二极管分布布拉格反射器(DBR)反射光谱进行研究。计算发现正入射时S偏振(TE模)与P偏振(TM模)反射带是一致的;S偏振和P偏振反射带随着入射角的增大都向高频(短波)方向移动,且两者之间的差别也随之增大,DBR反射带蓝移快慢与入射介质相关;低折射率入射介质时DBR具有更宽角度响应。通过修改结构参数多次计算表明:入射角修正的方法能较快地找到提高全方向反射的结构。复合DBR以降低反射率或者成倍增加膜层厚度为代价实现大角度范围的反射.复合DBR比传统DBR有更好的光谱特性,这对提高发光二极管的出光效率有现实意义。

摘要：利用先进的半导体微加工技术制备了gan基光导型X射线探测器,观察到其在荧光灯照射下对X射线的光电流响应有明显降低的光淬灭现象,以及在荧光灯关闭和开启瞬间电流值的突变现象,设计了各种不同情形下的光电流响应实验对这一光淬灭以及电流值突变现象进行了分析和研究,光淬灭主要是由于空穴陷阱和复合中心作用产生,而在荧光灯关闭和开启的瞬间,电流值的突变是由于荧光中某种波长的紫外光激发价带中的电子跃迁至导带中所致。

摘要：设计了一款Ku波段工作频率为13.0~15.5GHz的gan MMIC高线性功率放大器,采用0.25μm gan HEMT工艺,电路采用两级放大器的结构。通过两种不同的末级匹配网络的设计,对比分析匹配网络的设计对功率放大器效率与线性度的影响。一种是匹配到最佳功率附加效率(PAE)的末级匹配网络,一种则是匹配到最佳线性度的末级匹配网络(用最佳三阶交调产物与载波比值(IM3)来表示),级间和输入级匹配网络也尽量达到低损耗、高线性指标,从而提高整体电路的线性度,并尽量使得效率不恶化。测试结果表明,功率放大器的最大输出功率可以达到37.5dBm,匹配到最佳PAE的功率放大器功率附加效率均大于32%,最大可以达到36%,匹配到最佳IM3的功率放大器PAE低了2到4个百分点,线性度指标IM3则高了1到2个dBc。该测试结果表明,对于高线性功率放大器,末级匹配网络可以在最佳PAE点的基础上适当地向最佳IM3点靠近,以逼近更好的线性度指标,但若距离最佳IM3太近,PAE则会有较大的恶化。

摘要：基于氮化镓(gan)的产品可以取得更高的能效,帮助工程师设计出更紧凑的电源,适合各种消费、工业和汽车应用意法半导体Power gan系列第一款产品现已投产;很快还将推出其他的不同封装和规格的产品服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出了一个新系列——氮化镓(gan)功率半导体。

摘要：提出一种宽频带gan HEMT逆F类功率放大器设计方法,并完成S波段高效率功率放大器的研制。首先对改进的gan HEMT Angelov大信号缩放模型进行分析,确定功放管栅宽模型参数;然后通过输出电容补偿、负载牵引技术获得最佳输入、输出阻抗,设计谐波控制网络实现对谐波阻抗的峰化;最后基于宽频带、高效率原则完成电路仿真版图优化。为验证该方法,基于国产gan HEMT(栅宽1.25mm)设计了一款中心频率2.9GHz,带宽大于40%的高效率逆F类功放,测试结果表明频带内输出功率均大于3W、漏极效率达到60%。

摘要：电能在转化与运用过程中会不可避免地出现能量的损耗,而电力控制和电能转换过程中最核心部分即为电力电子器件。gan基准垂直MOSFET器件具有高输入阻抗、开关速率快以及对表面态陷阱不太敏感等优点,从而成为目前研究的热点,但由于沟道载流子的迁移率较低造成导通电阻与损耗较大。通过对再生长沟道gan基准垂直MOSFET进行仿真,证明该结构可以有效解决沟道载流子的迁移率过低的问题。在再生长沟道gan基准垂直MOSFET的基础上进行了结构改进,主要针对器件在源极区域与漂移区域的载流子分布进行了优化。其中,源极区域通过对源电极金属帽子下方Al_(2)O_(3)进行刻蚀,使得器件源极区域的电流导通路径得到了有效的缩短;而漂移区域通过在栅极下方插入一层载流子分布层,使得漂移区内载流子分布更加均匀。最终设计出了阈值电压为2.3V的新型再生长沟道gan基准垂直MOSFET,器件的导通电阻低至1.8mΩ·cm^(2),击穿电压高达1053V。

摘要：介绍了一种用于高压功率集成电路的高速电平位移电路,采用窄脉冲产生电路结构,提取低压控制信号的边沿信息,将其分解为2路窄脉冲信号分别驱动高压LDMOS,实现高低压侧电路区域之间信号的快速可靠传输,大幅降低了整个电平位移电路延时和运行功耗。该电路基于0.18μm 80 V BCD工艺进行仿真设计,由仿真结果可知,实现了由输入0~5V至80~85V的电平转换功能,能够满足用于gan栅驱动芯片的高速要求。