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检索条件"主题词=H参数"
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含控制因子的R/S分析的h参数估计及应用
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《统计与信息论坛》2010年 第10期25卷 27-32页
作者:吴礼斌 孙伟安徽财经大学统计与应用数学学院江苏蚌埠233030 
R/S分析法是揭示金融时间序列长记忆性的主要方法之一。针对经典R/S与修正R/S分析法之不足,对R/S分析法进行改进,设计含控制因子的R/S统计量,并应用蒙特卡洛模拟说明改进的方法比经典R/S与修正R/S分析法在估计h指数上的有效性。运用新...
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基于EM1模型的晶体管h参数及其等效电路分析法
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《电子制作》2016年 第7期24卷 58-60,62页
作者:李慧阳湖南大学物理与微电子科学学院 
本征晶体管的EM1模型是集成电路设计中进行计算机电路分析与设计的简易可行且有效的方法之一,而晶体管h参数是电子器件中分析低频小信号电路常用的手段。通过对EM1模型等效电路图及端电流端电压方程的计算分析,将其应用于对双极型晶体...
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改进的漏桶算法对输出业务流自相似特性的影响
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《计算机工程与设计》2008年 第22期29卷 5693-5695页
作者:刘鑫 许福永 米翠花兰州大学信息科学与工程学院甘肃兰州730000 
漏桶算法是基于速率调节进行业务流控制的一种重要方法。在自相似业务流输入下,将模糊控制机制加入漏桶算法中,分析了改进的漏桶算法对业务流自相似特性的影响。计算机仿真实验结果表明,在负载较重的情况下,改进的漏桶算法对于业务流输...
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提高晶体管振荡电路性能的设计与理论分析
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《天津轻工业学院学报》1996年 第2期11卷 18-21页
作者:李林和 王朝玉 宋蕴兴 保和平自动化工程系 
引用晶体管静态工作点与h参数的关系曲线,分析了静态参量IC、VCE对振荡电路频率稳定、起振、振荡频率的影响。指出恰当地选取静态IC、VCE将改善振荡器的工作。
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注装梯恩梯(TNT)装药冲击hugoniot参数的实验测定
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《沈阳航空工业学院学报》1999年 第1期16卷 73-77页
作者:赵海波 褚秀艳 张宝平 叶国庄 吕艳辉沈阳工业学院专科学校 北京理工大学 
本文利用一级轻气炮实验技术,对注装梯恩梯装药进行了高应变率下的动态冲击实验,对实验方法进行了改进,设计了一种新型的轻气炮延伸炮管。根据实验数据结果,得到了注装TNT装药的冲击hugoniot参数
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三极管等效电路分析方法
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《辽宁工业大学学报(社会科学版)》2018年 第2期20卷 126-129页
作者:牛芳琳 于玲 王琼 褚丽莉辽宁工业大学电子与信息工程学院辽宁锦州121001 
三极管是放大电路的主要元器件,关于其交流等效电路的教学内容一直是电子线路教学内容的难点。如何使学生能够深入地理解三极管等效电路的原理及使用方法,是教师在教学工作中研究的重点。针对这种情况,本文提出一种依据外围电路来设计...
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基于网络业务流的RMD算法模型设计
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《山西电子技术》2007年 第3期 43-45页
作者:曹书生南京邮电大学通信与信息工程学院江苏南京210003 
现代实际网络业务相比传统业务更为复杂,在各个时间尺度下表现出自相似的突发特性(相关函数上表现为长相关特性)。我们可以在线测量网络中的高速业务流,再根据实测时间序列数据,用RMD方法建立并分析高速业务流的自相似模型。RMD算法速度...
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