摘要：将SOI技术优势引入SiGe hbt,可满足当前BiCMOS高速低功耗的应用需求.SOI SiGe hbt作为BiCMOS工艺的核心器件,其频率特性决定了电路所能达到的工作速度.为此,本文针对所提出的SOI SiGe hbt器件结构,重点研究了该器件的频率特性,并通过所建立的集电区电容模型予以分析.规律和结果为:1)SOI SiGe hbt特征频率随集电区掺杂浓度的升高而增加;2)SOI SiGe hbt特征频率与集电极电流IC之间的变化规律与传统SiGe hbt的相一致;3)正常工作状态,SOI SiGe hbt(集电区3×1017cm-3掺杂)最高振荡频率fmax大于140 GHz,且特征频率fT大于60 GHz.与传统SiGe hbt相比,特征频率最大值提高了18.84%.以上规律及结论可为SOI SiGe hbt及BiCMOS的研究设计提供重要依据.

摘要：详细地阐述了高频大功率SiGe/Si异质结双极晶体管(hbt)设计中的一些主要问题,主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等。并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议。

摘要：　分析了pin/hbtOEIC跨阻光接收机前端设计中影响带宽和灵敏度的因素,并根据小信号等效电路推导了器件3dB带宽与反馈电阻、灵敏度及噪声电流的关系式。分析表明,这种集成方式的光接收机前端具有高速、高灵敏度的特性,在高速光通信系统(大于等于10Gbit/s)和波分复用系统中有广阔的应用前景。

摘要：叙述了高速 Al Ga As/ Ga As hbt D-触发器和静态分频器的设计、制造和性能。用电流型逻辑和自对准工艺 ,D-触发器上升和下降时间都小于 80 ps,静态分频器在 0～

摘要：采用自行研发的 4英寸InGaP/GaAshbt技术 ,设计和制造了 10Gb/s光调制器驱动电路 .该驱动电路的输出电压摆幅达到 3Vpp,上升时间为 34 2ps(2 0～ 80 % ) ,下降时间为 37 8ps(2 0～ 80 % ) ,输入端的阻抗匹配良好 (S11=- 12 3dB @10GHz) ,达到 10Gb/s光通信系统 (SONETOC 192 ,SDHSTM 6 4 )的要求 .整个驱动电路采用 - 5 2V的单电源供电 ,总功耗为 1 3W ,芯片面积为 2 0 1× 1 38mm2 .

摘要：设计了一款无螺旋电感的1~6 GHz频段的小面积高性能SiGe hbt宽带低噪声放大器(wideband low noise amplifier,WLNA).采用具有优良阻抗匹配特性的共基放大器作为输入级,并采用噪声抵消技术抵消其噪声达到输入噪声匹配;共射放大器作为输出级,有源电感替代螺旋电感实现电感峰化技术来扩展频带宽度、提高增益的平坦度.基于Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,完成了版图设计,WLNA的版图尺寸仅为105μm×115μm,与使用螺旋电感的WLNA相比,芯片面积大大减小.利用安捷伦公司的射频/微波集成电路仿真工具ADS进行了验证.结果表明:该WLNA在1~6 GHz频段内,S21>16 dB,NF<3.5 dB,S11<-10 dB,S22<-10 dB.对于设计应用于射频前端的小面积、低成本、高性能的单片WLNA具有一定的指导意义.

摘要：高频大功率hbt作为无线和射频通信PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe hbt的设计目的是在一定的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率.器件的设计参数需要进行折中优化.文中模拟计算了两个单元叉指结构的SiGe hbt的高频特性和在5GHz工作频率下的功率特性与发射区掺杂浓度、厚度、基区Ge组分大小以及收集区的掺杂特性等参数之间的关系,并对模拟结果进行了分析和探讨.给出了一些具有指导意义的结论,为高频大功率hbt的设计提供了很好的参考.

摘要：A monolithic power amplifier designed for 3GHz communication applications with improved gain flatness is studied based on InGaP/GaAs hetero-junction bipolar transistor technology in a commercial foundry. To improve gain flatness in a simple way, no external component was used in the real circuit except the decoupled bypass capacitors and RF choke. The measured linear gain is 23dB with gain flatness of ＋_ 0.25dB,satisfying the design goal and matching well with simulation results. This 2-stage power amplifier can deliver 31dBm linear output power and 44% power-added efficiency in the 400MHz bandwidth. The successful design with improved gain flatness is the result of superior distortion compensation and a coil model used as the RF choke.

摘要：采用一种新的简化VBIC模型对单、多指InGaP/GaAs hbt器件进行建模.测量和模型仿真I -V特性及其在多偏置条件下多频率点S 参数对比结果表明,DC^9GHz频率范围内,简化后的模型可对InGaP/GaAshbt交流小信号特性进行较好的表征.利用建立的模型设计出DC^9GHz两级直接耦合宽带放大器,该放大器增益达到19dB,输入、输出回波损耗分别低于-10dB和-8dB.

摘要：本文提出了新的模拟hbt性能的流体动力学传输模型，考虑了能量（动量）方程中的各个物理量，不同能谷散射对能量弛豫时间影响以及异质结能带的各种效应．分析了发射结和基区Al组分的缓变与AlGaAs／GaAshbt性能的关系，提出了器件优化设计的原则．