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用模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数
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《Journal of Semiconductors》2001年 第1期22卷 79-82页
作者：陈俊 刘训春中国科学院微电子研究和发展中心北京100029 
微波集成电路和微波器件的设计需要准确地提取 HFET的小信号等效电路模型参数 .采用带回火的模拟退火算法从 S参数提取 HFET小信号等效电路模型参数 ,得到了高质量的解 .计算结果是全局最优解 ,摆脱了初始值的影响 ,并且克服了局部优化...
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