摘要：在极低温环境中,为实现对晶体管的噪声参数提取,该文采用嵌入网络和去嵌入式技术。在测试的过程中,将多工器嵌入到测试网络中,实现有源器件所需要的不同频率电源;同时,将多工器与直通校准件相连,利用噪声系数与增益之间的关系,分别求出嵌入网路中的S参数,后用Matlab编程计算。由此求出hemt晶体管的噪声系数(NF),从而实现在极低温环境下的晶体管的噪声参数提取,为极低温下的微波电路设计提供有力的技术方案。

摘要：设计一款工作于0.8GHz^3.0GHz的宽带功率放大器,有源器件采用Cree公司提供的CGH40010FGaN hemt晶体管.利用ADS软件对功率管的大信号模型进行负载牵引,进而获得可以实现高效率最佳的负载阻抗和源阻抗,通过使用渐变式阻抗匹配的方法有效地拓展了功率放大器的带宽,并且保持了较高的效率.通过仿真最终对加工出来的实物分别进行小信号与大信号测试,实测结果表明,在0.8GHz^3.0GHz的频率范围内,相对带宽达到116%,小信号S21的实测值为14dB^18dB,大信号输出功率为40.15dBm^42.25dBm,漏极效率为50.0%~66.3%,增益为9.15dB^11.25dB,仿真与实测结果基本一致.