摘要：p-type技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程。基于这个原因,本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构,它可以作为AMOLED或者AMLCD外围驱动电路的一部分被集成到显示屏的衬底上。改进的移位寄存器由6个时钟控制,每个单元包含6个p-type多晶硅TFT。本文利用hspice进行仿真,验证了电路功能的正确性。利用韩方在多晶硅制作方面的优势,已经利用以上技术完成了96×3×128的AMOLED显示屏的制作。

摘要：SourceDriver电路模块是彩色TFT-LCD驱动控制芯片的关键电路之一,其功能是将数字图像显示数据转换成模拟驱动电压,从而驱动TFT-LCD显示各种彩色图像。本文从TFT-LCD的驱动原理出发,提出了一种适合于手机用TFT-LCD的低功耗、小面积的SourceDriver电路体系结构,用0.25μmCMOS工艺设计并实现了显示26万(26×26×26)色,支持132RGB×176分辨率的手机用TFT-LCD驱动控制芯片中的SourceDriver电路,电路面积约15mm×0.6mm。hspice仿真结果表明,SourceDriver电路的响应时间为1.49μs,静态功耗小于1mW。

摘要：介绍了一种应用于射频卡中稳压电路的设计方案,分析了该电路各个模块的结构和整个电路的工作过程。用hspice对其进行了模拟仿真验证,并进行了多目标流片,测试结果达到了设计要求,表明该稳压电路可以应用于射频卡芯片中。

摘要：本文给出了一种二阶开关电容低通滤波器的设计，重点分析了其减小沟道电荷注入效应的两种方法。hspice仿真结果表明：这种电路结构几乎不受沟道电荷注入效应的影响。

摘要：基于单电子晶体管(SET)的库仑振荡效应和多栅输入特性,利用SET和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)的互补特性,设计了基于SET/MOS混合电路的奇偶校验码产生电路。利用hspice对所设计电路进行仿真验证,结果表明,该电路能够实现产生奇偶校验码的功能。该SET/MOS混合电路的实现只需要1个PMOS管、1个NMOS和1个多栅输入SET。与传统CMOS电路相比,SET/MOS混合电路使用的管子数目大大减少,功耗显著降低。

摘要：设计了一种快速升压的片上电荷泵电路,该电路由时钟产生电路和电荷泵核组成。电荷泵核基于传统Dickson电荷结构,在前四级引入预充管,增加节点初始电压,提高电荷泵升压速度,时钟产生电路能产生占空比约为30%的稳定时钟信号,用它驱动电荷泵核可以减小充放电流失配等问题,进一步提高电荷泵升压速度。基于华虹NEC 0.35μs CMOS工艺,hspice仿真结果显示:在5 V电源电压下,电荷泵仅需要57.625μs就可以从0升压到20 V,比传统的MOS管Dickson电荷泵快了20.055μs。

摘要：针对集成稳压器对精密电压基准的要求,给出了一款新型的可同时应用于DC DC,LDO和Chargepump的BiCMOS带隙基准电路设计。该设计在采用温度系数补偿产生基准电源的同时,引进了快速基准检测电路,更加保证了输出的准确性。采用TT model hspice模型进行仿真后的结果表明,此款带隙基准电路在较宽范围内温漂不超过4 mV。

摘要：具有恒压恒流功能的DC/DC转换器被广泛应用于电子设备中。基于恒压恒流功能需要,稳压控制电路和稳流控制电路成为DC/DC转换器必不可少的内部单元。稳压控制和稳流控制可以通过误差放大器将反馈信号与参考信号放大后去控制PWM的占空比,由PWM信号驱动功率管实现状态变换。恒流、恒压工作状态的自动切换可以通过共用负载和偏置电流的方式实现。该文在分析恒压恒流工作原理的基础上,介绍DC/DC转换器内部的恒压恒流电路工作原理框架,针对电路框架中的电压误差放大器、第一级电流误差放大器和第二级电流误差放大器逐一进行电路设计分析以及hspice软件仿真验证。通过电压误差放大器与两级电流误差放大器联合调试仿真,证明整个电路设计能够实现恒压、恒流两种工作状态的自动切换,无需额外的状态监测和判断电路,控制逻辑简单可靠,整体电路满足设计要求。

摘要：基于单电子晶体管(SET)的库仑阻塞和库仑振荡效应,利用SET和MOS管的互补特性,提出了一种基于SET/MOS混合电路的新型表决器电路。利用hspice对所设计的表决器电路进行仿真验证,仿真结果表明SET/MOS混合电路能够实现表决器的功能。与传统CMOS电路相比,该SET/MOS混合电路使用的管子数目大大减少,功耗显著降低。

摘要：基于单电子晶体管(SET)的库仑振荡效应、多栅输入特性和相移特性,实现了SET/MOS混合结构的或门逻辑,并利用该或门逻辑实现了4-2编码器。利用hspice对所设计电路进行仿真验证,仿真结果表明该电路能够实现4-2编码器的编码功能。与纯CMOS编码器相比,该SET/MOS混合电路仅由2个PMOS管、2个NMOS管和2个SET构成,具有结构简单、尺寸小、集成度高的优点。