摘要：以SF6/Ar为刻蚀气体,采用感应耦合等离子体(icp)刻蚀Pyrex玻璃,研究气体流量、射频功率对刻蚀速率及刻蚀面粗糙度的影响。采用正交实验方法找出优化的实验参数,得到Pyrex玻璃刻蚀速率为106.8nm/min,表面粗糙度为Ra=5.483nm,实验发现增加自偏压是提高刻蚀速率、减小刻蚀面粗糙度的有效方法。

摘要：MEMS系统和器件作为半导体行业中的尖端产品,在制造过程中,其刻蚀工艺成为MEMS器件制作中一个重要的环节,因此对其刻蚀过程中的参数选择变得越来越重要。应用icp刻蚀机制备一个U型槽的刻蚀,研究上电级功率和压力对刻蚀效果的影响,进而影响MEMS器件的质量。做好实验记录,观察实验结果并分析,通过图片和其他数据参数反映MEMS器件的刻蚀效果与质量。

摘要：主要研究了硬盘磁头滑块二级台阶的刻蚀实验。首先研究了icp刻蚀的刻蚀原理,然后根据二级台阶掩模版的设计要求,设计出掩膜版的图形,并通过icp刻蚀机加工出磁头滑块。结果表明所提出的二级台阶的刻蚀工艺是合理的,且具有普遍性。

摘要：为了分析超疏水表面的物理特性及应用前景,介绍了粗糙超疏水表面的两种理论模型,提出了一种基于MEMS加工技术的超疏水表面制备工艺,即利用icp刻蚀工艺制备规则的硅方柱,并用旋转涂覆TeflonAF1600作为疏水薄膜,制备了疏水特性可控的硅表面。对接触角进行了测量,结果表明,在平整Teflon薄膜表面上,去离子水液滴的本征接触角约为117°,在边长间距比为10μm/35μm的方柱表面上的去离子水液滴显现接触角可达170°。另处,还给出了为避免Wenzel液滴出现的“安全”设计参数(方柱间距边长比小于2.5),以及一种基于润湿性梯度的微流体操控方案。