摘要：由于迁移率高、均匀性好、制备成本低等优势,铟镓锌氧化物薄膜晶体管(igzo TFT)有望促成有源矩阵有机发光显示器件(AMOLED)的大规模量产。但是igzo TFT存在阈值电压(VTH)漂移的问题,实用的AMOLED像素电路必须对VTH漂移进行补偿以实现较好的显示效果,而VTH的检测是AMOLED像素电路设计中的关键环节。本文系统研究了VTH检测方法,比较了放电法、充电法、偏置电流法补偿VTH的效果,研究了VTH检测时间和TFT寄生电容等参数的影响。研究结果表明:放电法不能精确地补偿负VTH漂移,充电法需要的VTH检测时间最长,偏置电流法能够达到的补偿精度最高。

摘要：为了快速检测强直性脊柱炎血清学分子标志物人体白细胞抗原(HLA-B27),开发了一种基于人体白细胞抗原B27(HLA-B27)功能化的氧化铟镓锌(igzo)薄膜晶体管生物传感器。利用射频磁控溅射技术和微纳加工工艺制备了igzo薄膜晶体管(igzo TFT),采用3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)和抗体对igzo TFT进行修饰,制备出针对HLA-B27检测的生物传感器。实验结果表明,功能化的igzo TFT生物传感器具有稳定的电学特性和传感性能。传感器对HLA-B27的检测极限为1 pg/mL,在1 pg/mL至100 ng/mL的范围内均有良好的线性响应。这说明所设计的高性能生物传感器能够有效检测出强直性脊柱炎的标志物。此外,igzo TFT可以扩展为传感器阵列平台,实现对某种疾病多种标志物的联合检测,在便携式床旁诊断设备的应用中具有巨大潜力。

摘要：Bladder cancer is the most common malignant tumor in the urinary system,with high morbidity,mortality and recurrence after ***,current bladder cancer urine diagnosis methods are limited by the low accuracy and specificity due to the low abundance of bladder cancer biomarkers in the urine with complex biological ***,we present a high stability indium gallium zinc oxide field effect transistor(igzo-FET)biosensor for efficient identification of bladder cancer biomarkers from human urine *** recognition molecular functionalized igzo-FET biosensor exhibits stable electronic and sensing performance due to the large-area fabrication of igzo thin-film *** to the excellent electrical performance of igzo-FET,the igzo-FET biosensor exhibits high sensitivity and extremely low detection limit(2.7 amol/L)towards bladder cancer *** igzo-FET biosensor is also able to directly detect bladder tumor biomarker in human urine with high sensitivity and specificity,and could differentiate bladder cancer patients’urine samples from healthy donors *** results indicate that our designed high-performance biosensor shows great potential in the application of portable digital bladder cancer diagnosis devices.

摘要：基于溶液旋涂法、高压退火工艺,制备了非晶铟镓锌氧化物(igzo)薄膜、铟锌氧化物(IZO)薄膜和双层igzo/IZO薄膜,研究了这些薄膜的电学特性。结果表明,在相同制作工艺下,igzo单层薄膜的电流随外加恒流源时间的偏移不明显,而双层igzo/IZO薄膜的电流随外加恒流源时间的偏移较大。退火温度在240℃~300℃范围内,电流的偏移量随温度升高而减小,回滞幅度也减小。薄膜的界面态对薄膜器件的I-V特性有较大影响,升高退火温度可改善igzo/IZO双层薄膜界面特性。

摘要：为了在TFT工厂的设计、建设及运营阶段采取有针对性的节能降耗措施,有效降低器件制备过程中的能耗,本文根据我院多年从事TFT生产线节能评估工作的经验数据,针对不同技术路线,选取具有代表性的TFT-LCD及AMOLED生产线,并对其能耗进行对比分析,以讨论不同技术路线对TFT-LCD及AMOLED显示器件生产能耗的影响。分析结果表明：阵列制备是最主要用能工序,其制备复杂程度可采用光罩次数（Mask）表征。随着光罩次数的增加,器件制造对电力、氮气、新鲜水等能源及耗能工质的需求呈急剧增长：采用10-13Mask技术的LTPS及AMOLED显示器件,其综合能耗达到a-Si及Oxide技术路线的约350%之多;在不同技术路线下,电力均为最主要的用能需求,其消耗量占总能耗的80%-87%。能耗的增加导致用能成本的大幅上升。在国家大力提倡绿色经济的环境下,建议各大厂商采取科学有效的能耗管控措施,以降低能源消耗及用能成本,实现产业的健康可持续发展。

摘要：对In-Ga-Zn-O (igzo)材料推广应用过程中可能的技术阻碍进行了分析,包括igzo的成分分析、igzo靶材制备技术分析、igzo-TFT (igzo薄膜晶体管)稳定性分析等。通过调节igzo中氧化物的成分比例,可以调节igzo的光电性能;igzo靶材的制备选取1400℃以上的烧结温度可以得到高密度,成分均匀的靶材;通过增加遮光层、保护层、采用双栅结构、设计补偿电路等措施,可以提高a-igzo TFT的稳定性。