摘要：A new effective tool design of three-rank form of electroremoval was present using a precision recycle system offering faster performance in removing the indium-tin-oxide(ito) thin-films on color filter surface of displays. Higher electric power is not required since the three-rank form tool is adopted as a feeding mode to reduce the response area. The low yield of ito persists throughout the entire semiconductor production process. By establishing a recycle process of ultra-precise removal of the thin-film nanostructure, defective products in the optoelectronic semiconductors industry can be effectively recycled, decreasing both production costs and pollution. A 5th generation TFT-LCD was used. The design features of the removal processes for the thin-films and the tool design of three-rank form were of major interest. For the precision removal processes, a pulsed current can improve the effect of dreg discharge and contributes to the achievement of a fast workpiece (displays' color filter) feed rate, but raises the current rating. High flow velocity of the electrolyte with a high rotational speed of the tool electrodes elevates the ito removal effect. A displays' color filter with a fast feed rate is combined with enough electric power to provide highly effective removal. A small thickness of the rank and a small arc angle of the negative-electrode correspond to a higher removal rate for ito-film. An effective three-rank form negative-electrode provides larger discharge mobility and better removal effect. It only needs a short period of time to remove the ito easily and cleanly.

摘要：研究采用均相共沉淀法制备纳米ito(IndiumTinOxide)粉末的制备工艺参数,从碱式溶度积平衡和酸式溶度积平衡,根据热力学平衡理论并引入化学反应热容参数分别计算了ito前驱物In(OH)3和Sn(OH)4开始沉淀和沉淀完全的pH值以及其开始溶解和溶解完全的pH值,给出了这些pH值随沉淀温度的变化规律,由此对工艺参数进行了优化设计并提供了一种有效的材料掺杂新工艺。采用高分辨率透射电镜,扫描电镜,X射线衍射对ito纳米粉末进行了测量。结果表明,ito粉末的平均晶粒大小为28nm,而且沿(400)面生长。

摘要：使用现有生产线上工艺成熟且成本低廉的技术实现ito粗化以提高GaN基LED蓝光芯片的出光效率是产业界重要的研究课题。本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ito表面粗化,有效地提高了LED芯片的输出光功率。输入电流为20 mA时,ito层制备密集分布的三角周期圆孔阵列后,芯片输出光功率提升11.4%,但正向电压升高0.178 V;微结构优化设计后,芯片输出光功率提升8.2%,正向电压仅升高0.044 V。小电流注入时,密集分布的三角周期圆孔阵列有利于获得较高的输出光功率。大电流注入时,这种结构将导致电流拥挤,芯片的电光转化效率衰减严重。经过优化设计后的微结构阵列器件,具有较高的电注入效率,因此芯片的出光效率较高且随输入电流的增加而衰减的趋势较慢,因此更适合大电流下工作。

摘要：随着现代制造技术的飞速发展,对精密运动平台的精度性能要求越来越高.通过对机架结构和驱动方式的对比分析,以及对滚动导轨和滚珠丝杠的选型分析,设计出了可供使用的ito图形短路检测仪精密运动平台.重点分析了滚动导轨的位移分辨率,提出了提高工作台位移分辨率的主要措施.对比了工作台配磨前后的精度,并将其运用到实际的生产设备中,得出了精度的实验数据,证明了该运动平台的精度符合设计要求,验证了该平台的可实用性,对以后进行大尺寸、高精度运动平台的研究奠定了基础.

摘要：简单阐述了ito镀膜工艺流程 ,并重点分析了真空镀膜设备结构设计特点。

摘要：采用ito/Ti3O5薄膜结构作为高亮度AlGaInP LED的电流扩展层、窗口层、电流阻挡层和增透膜层。通过在电极下形成肖特基结,避免电极下方无效电流注入,提高局域电流密度。通过ito/Ti3O5增透膜设计提升LED的光提取效率。具有该ito/Ti3O5薄膜结构的主波长621nm的高亮度AlGaInP LED芯片(150μm×150μm)较传统结构芯片发光强度提升40%,20mA注入电流下,电压均值在2.1V左右。

摘要：提出了一种单层ito结构实现电容式触摸屏的设计方法,该方法可以实现单点/多点触摸功能。讨论了单层ito玻璃不同图案设计对触摸功能的影响,对产生的原因进行了初步分析,并提出了改善的方法。

摘要：近年来,我们发现一些染料分子表现出了多性能性,如Squaraine,它不仅具有相当好的非线性光学性质,而且因具有好的光电性质已成为材料进入应用,我们在研究多种染料体系中同时发现了它们优良的二阶非线性光学性质和光电化学性质,本文研究的氮杂芪唑盐是专为研究分子的二阶非线性活性理论而设计的一个化合物,它具有比Squaraine更好的二次谐波产生能力,我们对其作为光电材料的光电化学性质进行了研究,并就其光电转换的可能机理进行了探讨,在仿生材料中,LB膜方法是一种极为恰当和有效的方法,它有望克服无机固体器件的体积限制而产生新的功能.

摘要：目前晶硅异质结太阳电池大多采用刻蚀绒面来减小光学损耗,但该方法工艺繁琐,且重复性和后期镀膜均匀性不佳;同时,绒面增加了载流子的传输路径和复合概率,限制了电池性能的提高。本文利用太阳电池模拟软件OPAL和光学膜系设计软件TFCalc,以平面硅为衬底,设计了一种双层TiO_(2)/SiN_(x)减反膜。考虑到太阳光谱分布和异质结太阳电池的光谱响应,本文以加权平均光学损耗作为评价函数,将TiO_(2)/SiN_(x)双层减反膜与玻璃、衬底作为一体进行了优化,并将本文设计的减反膜与绒面硅上单层ito减反膜的加权平均光学损耗进行了对比。结果表明,与绒面硅上单层ito减反膜相比,所设计的双层减反膜的加权平均光学损耗更小,为4.69%,较单层ito减反膜减小了1.97个百分点,且吸收损耗显著降低。本文研究为平面硅替代绒面硅提供了理论支持。

摘要：晶硅异质结太阳电池表面的减反层是ito薄膜,其低的紫外透过率、高的近红外光学损耗限制了电池效率的提升。为此,本文设计了三层减反膜来减小ito薄膜的光学损耗。利用光学薄膜膜系设计软件TFCalc、光线追迹程序(OPAL 2)和太阳电池模拟软件PC1D对三层减反膜的光学性能和相应电池的电学性能进行了模拟和分析,并对折射率色散效应、晶硅表面形貌以及各膜层的厚度容差进行了讨论。结果表明:考虑折射率色散效应的三层减反膜比ito薄膜的寄生吸收更小,减反射带宽更大;绒面硅表面减反膜比平面硅表面减反膜的加权平均光学损耗降低了2.43个百分点,相应电池的短路电流密度和转换效率分别提高了0.82 mA/cm2和0.34个百分点;减反膜中低折射率的SiOx膜层具有更大的厚度容差范围。