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inp基HEMTs器件16参数小信号模型（英文）: 收藏
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引用; 《红外与毫米波学报》2018年第2期37卷 163-167页; 作者：钟英辉李凯凯李梦珂王文斌孙树祥李慧龙丁鹏金智郑州大学物理工程学院河南郑州450001 中国科学院微电子研究所北京100029; 针对InAlAs/InGaAsinp基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R_(gs))表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τ_(ds))描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C_(ds))引起...; 针对InAlAs/InGaAsinp基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R_(gs))表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τ_(ds))描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C_(ds))引起的相位变化,从而提高了S_(22)参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,R_(gs)和τ_(ds)的引入降低了模型误差.准确合适的inp基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.; 来源：详细信息评论

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