摘要：基于InP HEMT在3 mm波段的优越的噪声性能，设计制作了一款3 mm波段InP HEMT低噪声放大器。通过合理设计外延材料结构和器件结构，提高器件性能。测试1～40 GHz器件的S参数和噪声参数以及75～110 GHz器件的S参数，并采用外推的方法建立了器件的噪声模型。电路设计采用ADS仿真软件，采用全版图电磁场仿真保证电路设计的准确性，最终实现了一款3 mm波段低噪声放大器。测试结果显示在92～96 GHz时，带内增益大于20 dB，噪声系数小于4．0 dB。芯片面积3．07 mm×1．75 mm，直流功耗60 mW。

摘要：In P基HEMT器件制作中,栅槽刻蚀工艺是形成良好的肖特基接触栅的关键工艺。针对这一问题,研究了用丁二酸和H_2O_2混合液作为In P基HEMT器件栅槽腐蚀液,确定栅槽完全腐蚀并获得较好的表面平整度的最优时间。首先用单片In Ga As和单片In Al As材料进行单步腐蚀,最终得到腐蚀液对这两种材料的腐蚀速度;其次对In P基HEMT器件外延材料进行光刻,对光刻后图形进行20 s,40 s,60 s的腐蚀。同时采用光学显微镜观察腐蚀图形,利用电流监控法确定腐蚀形成HEMT器件的栅槽腐蚀时间,并通过原子力显微镜(AFM)进行表面平整度观察,最终得到60 s的腐蚀时间的特性较好,进而确定为栅槽形成的最优腐蚀时间是60 s。