摘要：本文基于高压VDMOS器件的导通电阻模型,探讨了导通电阻影响因素;在保证器件击穿电压的同时,优化了外延层电阻;采用jfet注入工艺,减小jfet电阻;同时结合器件结构、元胞密度和芯片面积来降低器件的导通电阻。通过工艺仿真和二维数值仿真相结合的方法,设计了一款11A/600V的功率VDMOS器件。经流片测试数据表明,产品性能达到国外同型号产品的参数水平。

摘要：基于jfet原理,采用Double RESURF技术,对SENSFET的降场层注入剂量、始点位置和长度以及Nwell注入剂量等进行优化设计,得到了耐压730V、jfet线性区电阻为7.2×105Ω·μm的智能高压SENSFET器件.流片结果表明,器件宽度为75μm情况下,SENSFET的击穿电压为700V,线性区电阻为10kΩ.设计分析和实验结果吻合得很好.借助该SENSFET器件可以很好地实现智能功率集成电路中高压器件的信号检测和电路的自供电功能.

摘要：研究了jfet区注入对大功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻的影响,分析讨论了jfet区注入影响击穿电压的机理,并定量给出jfet区注入对导通电阻的影响。通过器件数值模拟优化jfet区注入剂量,并根据仿真结果改进器件设计,在满足击穿电压要求的前提下导通电阻降低了8%。

摘要：研究和开发了一种用于宽电压A/D、D/A转换器的BiCMOS工艺。利用相关晶体管原理和公式,计算出工艺参数,再用TSUPREM4和MEDICI软件,进行工艺和器件仿真,得出精确的工艺参数。流片后对所有器件进行了测试,结果表明,开发的工艺完全符合设计要求。用此工艺制造的A/D、D/A转换器产品,其性能符合设计指标。

摘要：本文讨论了jfet-双极高速运放的设计问题.导出了jfet输入级的简单设计关系.基于简化的电路模型,获得了第二级频响问题的解析结果.也指出了正向压摆率实际上是受第二级的偏置电流限制的.

摘要：针对微机继电保护电压、电流发生器功率放大出现的非线性失真现象,提出了一种基于结型场效应管(jfet)可变电阻的非线性补偿方法。首先介绍了电压、电流发生器的总体结构和功率放大的原理,并分析了jfet的压控可变电阻特性,设计了一种增益可变的运算放大电路,最后对电路进行了实验分析,结果表明非线性可变增益运算放大电路能够较好地补偿电流功率放大的非线性失真,使功率放大的线性精度得到改善,电压电流输出精度高、线性度好,满足微机继电保护实验仪的要求。

摘要：将jfet用于不寻常的电路结构中,就可以设计出无源元件很少的简单高频LC振荡器.实现放大器级的结构包括一只以共漏方连接的jfet晶体管(图1).

摘要：使用jfet的自偏置特性可以建立一个DC／DC转换器．它能用太阳能电池、热电偶和单级燃料电池等电源工作．这些电源电压都低于600mV．有的甚至低至300mV。图1示出的是一个N沟道jfet在零偏置条件下的栅源特性．产生方法是连接其栅极和源极。施加100mV电压可以使10mA电流流经器件．350mV时电流增加到30mA。通过利用jfet在零偏置时导通大电流的能力．能够设计出一种自起动、低输入电压的转换器。

摘要：当使用分立的jfet时，设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程，作为jfet漏极电流特性的一个近似模型：ID=p（VGs—VP）2，其中，ID是漏极电流。VGS是栅源电压，β是跨导参数，

摘要：现在流行的前级放大器和合并式功率放大器一般都不带LP唱头均衡放大部分。所以,即使您拥有了中高档的LP唱机和许多珍贵的密纹唱片,却仍然不能够欣赏到优秀模拟唱片重现的那种细腻动人的美妙音乐,这的确是一件非常令人遗憾的事。然而设计制作一台优良的LP均衡放大器,就是对于具有一定水平的音响爱好者来说也并非易事。而本文介绍的LP唱头放大器,制作极其简单,只需照猫画虎,不需作任何调整即可正常工作,但品质却相当优秀。这是因为它具有以下独特之处: 1.采用早已被手机淘汰的大号锂离子电池作电源,杜绝了由变压器引入的50Hz交流电干扰和整流滤波电路产生的纹波。因为如何减小噪声,是微弱信号放大电路的设计和制作中最令人头疼的事,即使是想要把交流声干扰降到可以容忍的程度,那也不是很容易的。 2.采用结型场效应晶体管(jfet)作放大器件,它的噪声比普通晶体管(BJT)、绝缘栅晶体管(MOSFET)和电子管都低,选用它,容易实现很高的信噪比。