摘要：本文研究了一种硅高频高跨导ＪＦＥＴ的设计和制造技术。测量结果表明，所研制的器件性能基本达到了国际上先进公司同类产品的指标参数。

摘要：为培养学生发现问题、思考问题和解决问题的能力,笔者针对待处理信号在经过一般滤波器后会出现相位偏移造成信号失真,严重时甚至引起系统振荡的问题,设计了一套以解决一阶低通有源滤波器相位移动问题为例的零相移滤波器综合实验。通过对滤波器的频率响应特性进行分析,将结型场效应管(jfet)作为压控电阻的过程实现,以及对同频信号相位差的测量研究,搭建了一阶低通有源滤波器相位补偿的闭环控制回路。实验结果表明,在低频应用环境下可实现零相移滤波。

摘要：本文提出了通过电路技术大幅度提高JFFT输入阻抗及降低栅流的原理和方法。所给高效能jfet组合及其各种组态,除可使Z_(in)提高2～3个数量级、I_(in)降低2个数量级外,尚有近50db的电源干扰抑制比及强化了栅极自保护能力。为微弱讯号放大器提供了理想的输入电路。现已成功的应用于生物微电极放大器及红外TGS探头。

摘要：轻松应对要求低噪声和低失真的高分辨率系统的设计挑战；高性能的超小封装增益可编程jfet型仪表放大器；用1．5GHz三运算放大器驱动高分辨率视频；jfet精密放大器采用TSOT-23封装具有比同类产品低75％的功耗；适合低电压应用的超低噪声精密双放大器；

摘要：使用构建方法,阐述文氏桥振荡器稳幅环节的设计思路,将其分解为场效应管压控可变电阻、二极管单向导电、RC电路、电阻分压四个基本电路,通过构建、仿真、修改这样简单的迭代方法,实现了最终的完整电路。在jfet稳幅的文氏桥振荡电路中,应选择夹断电压高、跨导系数大的场效应管,并增大栅极放电电阻。

摘要：介绍了一种采用jfet输入级并以jfet作为有源负载的两级放大器,该放大器典型特点是高增益、低功耗。

摘要：简介Pass的设计风格一直以不拘一格而著称，在本文中，他将和读者探讨使用功率型JEFT场效应管改造ZEN的可能性。电路仍然是单级增益一恒流源的结构，放大元件由MOSFET换成了jfet，这也是ZEN系列放大器的第八个版本（下文简称ZV8）。这次他又会给我们带来什么启示呢？请接着往下看。

摘要：本文报告了一种OEIC器件:单片集成InGaAs PIN-jfet光接收器的设计与研制结果.为解决光电器件与电子器件在集成上的兼容性,采用了在结构衬底上进行平面化外延的新工艺,达到了器件的准平面结构,并对器件的主要参数进行了计算,选取了较佳的载流子浓度.制成的单片集成器件中,PIN光探测器的量子效率在1.3μm处为57％,暗电流在-5V下小于100nA,jfet的跨导为34ms/mm,与计算植相符.对器件进行光接收功能测试获得了预期的结果.

摘要：基于70 V高压双极型工艺,设计了一种适用于单片高压功率运算放大器的输入级电路。该电路采用p沟道结型场效应晶体管(jfet)组成的差分对套筒式共源共栅(differential telescopic cascode)结构,具有低偏置电流、低失调电压、低失调电流、高共模抑制比的特点。以共集-共射(CC-CE)的放大电路结构作为该输入级电路的负载,减小对输入级影响的同时能够提高电压增益。Spectre仿真结果表明,输入偏置电流仅为20 pA,失调电压为0.11 mV,失调电流为0.57 fA,连接负载后的增益可以达到89 dB,单位增益带宽达到8.13 MHz。

摘要：近年来,LDMOS由于其漏极、栅极和源极都在芯片表面,易于和低压器件集成,因而被广泛应用到功率集成电路和射频领域,一直以来,高压LDMOS的建模是一个十分复杂的问题。文章通过分析高压LDMOS的结构和物理特性,得到高压LDMOS的准饱和特性、自热效应和漂移区的压控电阻特性,这些特性类似jfet的特性,从而建立了高压LDMOS器件的MOS+jfet新的电路模型。通过设计一套1.0μm 40V LDMOS的模型版,在CMOS工艺线上流片提取参数,实验结果表明该模型的解析值和实测值符合良好,而且还体现了LDMOS器件的固有特性。因而该种新模型的建立可以很好地指导LDMOS器件的工程应用。