摘要：H型栅NMOS器件因其强抗辐照和低功耗等优势已逐渐成为PDSOI电路设计中的核心器件。但H型栅NMOS器件的Ids-Vds曲线会在漏极电压较高时发生明显的翘曲现象,称为kink效应。该效应严重影响一定工作条件下的电路性能和稳定性。为此,依据实测和TCAD仿真数据,分析了H型栅NMOS器件发生kink效应的机理,并且基于0.15μm SOI工艺,进一步量化分析了顶层硅膜厚度、阱浓度、栅尺寸、温度以及总剂量辐照等方面对kink效应的影响。最终结果表明,高漏极电压下NMOS器件体区积累大量空穴导致寄生NPN三极管开启,从而引发了kink效应。本工作完善了H型栅NMOS器件kink效应的研究,为PDSOI电路设计中抑制kink效应提供了有益的参考。

摘要：研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和版图的优化设计,在不同剂量条件下,该样品均不产生线性区kink效应.由碰撞电离引起的kink效应,出现显著变化的漏极电压随总剂量水平的提高不断增大.在高剂量辐照条件下,背栅ID-VSUB曲线中出现异常的"kink"现象,这是由辐照诱生的顶层硅膜/埋氧层之间的界面陷阱电荷导致的.

摘要：在深低温下(T4V),漏电流突然加大,电流曲线偏离正常的平方关系。本文通过实验表明,kink效应对CMOS读出电路中的一些电路结构产生较严重的影响,kink效应会导致源跟随器输出产生严重的非线性;对于共源放大器和两级运放,kink效应会使其增益产生非线性。最后,针对影响低温读出电路性能的kink效应进行分析和研究,提出在低温CMOS读出集成电路设计中如何解决这些问题的方案。

摘要：非全耗尽SOI/MOS晶体管由于存在“kink效应”而限制了它的应用范围。本文考虑了沟道夹断区的碰撞电离和横向寄生晶体管效应,对浮置衬底SOI/nMOS晶体管的电流—电压特性曲线进行了理论计算,讨论了kink效应的产生机理。计算结果与实验符合甚好。对器件参数的分析可以定性地指导抑制kink效应的器件优化设计。

摘要：介绍了GaAs异质结双极型晶体管（HBT）的kink效应及其对宽带匹配的影响,并根据负反馈原理,提出了一种新型的HBT复合管结构。通过对该结构进行小信号分析和计算机软件仿真,该复合晶体管在整个测试频段内输出阻抗接近于一个简单的RC串联电路,并且输出电阻在很宽的频率范围内保持稳定。采用2μm InGaP/GaAs HBT半导体工艺技术流片测试,结果表明,在0.1-20 GHz（接近该HBT的截止频率）的频率范围内所提出的新型HBT复合管抑制了kink效应并与理论分析结果及计算机仿真结果相吻合。采用该复合管作为宽带放大器的有源器件可以在很大程度上简化匹配电路的设计并且不会显著增加芯片面积和功耗。

摘要：通过引入渐变Al组分和脊型波导的设计,制备了1550 nm高功率AlGaInAs/InP基横模半导体激光器,室温连续工作模式下器件的斜率效率达到0.35 mW/mA,在500 mA的工作电流下,输出功率为138 mW,垂直和水平方向的远场发散角分别为32.9°和11.1°,证明器件具有良好的基横模输出特性。同时,建立高阶模截止条件温度模型,研究了器件在不同温度下功率-电流(P-I)曲线中kink效应与远场发散角steering效应的产生原因,阐述了温度对基横模和高阶模增益的影响机制。通过比较不同腔长器件发生kink效应的电流大小,证明长腔长结构可以有效防止kink效应的发生。

摘要：本文提出了用异型硅岛实现的厚膜全耗尽 (FD)SOIMOSFET的新结构 ,并分析了其性能与结构参数的关系 .通过在厚膜SOIMOSFET靠近背栅的界面形成一个相反掺杂的硅岛 ,从而使得厚膜SOIMOSFET变成全耗尽器件 .二维模拟显示 ,通过对异型硅岛的宽度、厚度、掺杂浓度以及在沟道中位置的分析与设计 ,厚膜SOIMOSFET不仅实现了全耗尽 ,从而克服了其固有的kink效应 ,而且驱动电流也大大增加 ,器件速度明显提高 ,同时短沟性能也得到改善 .模拟结果证明 :优化的异型硅岛应该位于硅膜的底部中央处 ,整个宽度约为沟道长度的五分之三 ,厚度大约等于硅膜厚度的一半 ,掺杂浓度只要高出硅膜的掺杂浓度即可 .重要的是 ,异型硅岛的设计允许其厚度、宽度、掺杂浓度以及位置的较大波动 .可以看出 。

摘要：介绍了部分耗尽型 SOI　MOS 器件浮体状态下的 kink 效应及对模拟电路的影响。阐述了 4 种常用体接触方式及其他消除部分耗尽型 SOI　MOS 器件 kink 效应的工艺方法,同时给出了部分耗尽型　SOIM O S F E T 工作在浮体状态下时模拟电路的设计方法。

摘要：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在实际应用过程中经常受到由于振动、热胀冷缩等原因引起的动态应力。为了研究动态应力对器件性能带来的影响,利用自主设计的应力机械装置对AlGaN/GaN HEMT芯片持续施加峰值大小为150 MPa,频率为3 Hz的交变应力。施加应力过程中,每隔一定的应力周期对器件进行电学特性测量,得到了不同应力周期下的输出特性曲线和转移特性曲线。研究分析了随着应力周期的增加输出电流和跨导的变化,研究结果表明,器件的输出电流和跨导随着施加动态应力周期的增加而减小。随着动态应力的加载,器件将产生缺陷,是器件发生退化的原因。

摘要：利用一种新型HBT复合晶体管结构设计了一款宽带功率放大器,有效抑制了HBT的大信号kink效应。采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在5～12GHz频带内,复合晶体管结构的输出阻抗值更稳定,带宽得到有效扩展,最高增益达到11dB,带内波动<0.5dB,在9GHz工作频率时,其1dB压缩点处的输出功率为26dBm。