摘要：“闪电河流域水循环和能量平衡遥感综合试验”以滦河上游的闪电河流域为试验区,开展了机载l波段微波辐射计观测。将其获取的机载亮温数据与SMOS、SMAP卫星亮温(l1C)进行对比研究。首先根据观测时间、角度和极化方式制定了机、星数据的选用方案,进而针对二者尺度差异设计了3种空间匹配策略,以数值差(卫星—机载)、相关系数(R)和无偏均方根误差(ubRMSE)作为量化指标,对机载和卫星观测亮温进行差异分析,结果显示:机载亮温与卫星亮温之差随角度变化的特征趋势与理论相符,其可靠性得到了初步验证;3种空间匹配策略下的总平均亮温差显著不同,证实了空间尺度差异与匹配策略对多源数据的验证及对比的量化影响;机载亮温与SMAP亮温的总体差小于与SMOS,反映了探测方式、传感器硬件设计以及空间组织方式的异同。

摘要：研制了一款基于NEDI 0.25μm GaN功率MMIC工艺的l波段大功率高效率准单片功率放大器。采用两级拓扑结构,以准单片形式实现。输入采用有耗匹配网络提高芯片的稳定性,级间和末级匹配均采用无耗纯电抗网络,其中末级匹配电路通过低损耗陶瓷电路实现。合理规划前级与末级间推动比,降低前级漏电流,减小末级匹配损耗,优化谐波匹配,实现大功率高效率设计。芯片在28V脉冲电压下工作,在1.2~1.4GHz范围内,实测输出功率大于49dBm,功率增益大于25dB,功率附加效率达到73%。管芯部分及输入匹配电路采用GaN功率MMIC工艺制作,输出匹配电路采用低损耗陶瓷片介质加工,两块电路键合一起总面积8.0mm×5.6mm。

摘要：基于l波段500W的lDMOS功放管,本文成功实现一款900W的固态脉冲功率放大模块;实验结果表明,该脉冲功率放大器可应用于航管频段的ATC应答机、塔康等高功率发射机中,为航管高功率发射机提供一种低成本解决方案。

摘要：该文介绍了宽频带360°模拟移相器的设计理论。针对移相器的线性调相、平衡插入损耗波动、宽频带等进行了详细的探讨,且推导出确定移相器频带宽度的目标函数。用CAD方法迅速而准确地优化各网络设计参量。采用微波集成电路工艺制作的l波段模拟移相器在1.3～2.1GHz范围内可获得360°连续可变相移,最大调相电压18V,中心频率线性度优于±2.5％,插入损耗波动小于3dB。综合性能均优于国内报道的移相器。

摘要：设计了一种直接射频采样的l波段星载合成孔径雷达(SAR)数字接收机.适当选取射频采样频率,优化了数字正交解调结构.为减轻数据存储和传输的压力,实现了压缩比可变的分块自适应量化模块.直接射频采样简化了电路设计,提高了SAR系统的精确性和灵活性,仿真结果证明该设计技术可行、有效.

摘要：论述了宽带相控阵天线渡越时间对天线性能的限制，介绍了消除渡越时间影响的方法，设计了具体的实现方案，即真延时网络，并对该方案进行了仿真和测试。测试结果表明，在1．1～1．5GHz的带宽内，功分器各端口驻波比小于1．22；微带线和同轴线的群时延具有良好的线性规律。该设计可以实现最小步进250ps、最大延迟3750ps的延时，可有效克服渡越时间的不利影响。

摘要：射频功率放大器是现代无线通信系统中的重要组成部件之一,传统的功率放大器设计非常依赖射频工程师的工程经验,一般通过实物电路的反复调试达到设计指标。采用Doherty技术设计并实现了一种应用于长期演进(long term evolution,lTE)移动通信技术基站的l波段高效率功率放大器。设计中采用了安捷伦公司的先进设计系统软件,选取恩智浦公司型号为AFT20P140-4WN的横向扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metal oxide semiconductor,lDMOS)功放晶体管,该晶体管工作频段为1 880 MHz^2 025 MHz。通过电路仿真与实物调试相结合的方式完成了整个设计。测试结果表明,所设计Doherty功率放大器的最大输出功率为45.3 d Bm,最高效率为37%,在4.2 d B功率回退的情况下,效率仍保持在30%左右。与传统的功率放大器设计相比,此设计方式缩短了设计周期,提高了设计成功率并降低了设计成本。

摘要：本文应用lTCC技术设计了一个l波段二阶Chebyshev窄带带通滤波器。该滤波器集成在9层lTCC介质中,采用等效集总元件(电容电感)结构,充分利用lTCC的三维封装结构减小滤波器体积,通过谐振单元中集总元件的串并联产生两个带外传输零点,同时调整谐振单元耦合间距控制带宽。滤波器输入输出利用金属通孔将带状线过渡到微带上。滤波器(带过渡结构)的仿真结果为:中心频率1.42GHz,1dB相对带宽2.1%,插入损耗通带内最低0.5dB,回波损耗优于20dB,整个滤波器体积为:4.5×4×0.87mm3。

摘要：基于0.5μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺对GaN芯片结构进行了改进。通过优化场板参数提高击穿电压,通过优化接地孔分布方式降低管芯热阻,设计了单指栅宽1500μm、总栅宽120 mm的改进型GaN HEMT。该芯片具有高击穿电压305 V、低热阻0.19℃/W及高功率密度15 W/mm。采用该GaN HEMT芯片设计了一款l波段功率放大器,采用预匹配技术实现功率放大器高阻抗变换比。经测试,在1.2~1.4 GHz,该功率放大器在栅极电压-1.9 V,漏极电压100 V、脉宽100μs、占空比5%的工作条件下,输出功率大于1500 W,功率增益大于15 dB,功率附加效率大于70%。

摘要：描述了一个用于生物样品l波段ESR成像用的谐振腔 ,讨论了在制作、设计过程中几个值得注意的问题 ,该腔为 3 环 2 裂缝再进入式谐振腔 ,可检测直径为 2 0mm长 30mm的H2 O样品 .空腔的共振频率为 1 .0 5GHz.腔的Q值是样品中水含量的函数 ,无载Q大于1 0 0 0 .用插入侧臂的耦合环得到谐振腔与微波桥之间的匹配 ,确定了耦合环直径的最佳值 ,对无载腔其值约为腔臂直径的 1 /3,而对有载腔其值约等于腔臂的直径 .